
SSM6K403TU,LF(T TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 66mΩ
Version: ESD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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177+ | 0.40 EUR |
264+ | 0.27 EUR |
280+ | 0.26 EUR |
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Technische Details SSM6K403TU,LF(T TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 0.5W, Case: UF6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.2A, On-state resistance: 66mΩ, Version: ESD, Gate charge: 16.8nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SSM6K403TU,LF(T nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.40 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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SSM6K403TU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: UF6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A On-state resistance: 66mΩ Version: ESD Gate charge: 16.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6K403TU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
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