SSM6N55NU,LF(T Toshiba
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 125+ | 1.43 EUR |
| 256+ | 0.69 EUR |
| 279+ | 0.62 EUR |
| 281+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2000+ | 0.43 EUR |
| 3000+ | 0.4 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
125 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SSM6N55NU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6N55NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SSM6N55NU,LF(T nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N55NU,LF(T | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM6N55NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.046 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SSM6N55NU,LF(T |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N55NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N55NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 174+ | 1.44 EUR |
| 387+ | 0.61 EUR |
| 441+ | 0.49 EUR |
| 582+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 5000+ | 0.29 EUR |