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SSM6N55NU,LF(T

SSM6N55NU,LF(T Toshiba

4576docget.jsplangenpidssm6n55nutypedatasheet.jsplangenpidssm6n55nuty.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
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Technische Details SSM6N55NU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM6N55NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SSM6N55NU,LF(T Hersteller : TOSHIBA 4249052.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N55NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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SSM6N55NU,LF(T SSM6N55NU,LF(T Hersteller : Toshiba 4576docget.jsplangenpidssm6n55nutypedatasheet.jsplangenpidssm6n55nuty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
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