Technische Details SST29EE0201204CNH SST
Память параллельная EEPROM (2M bit (256Kx8), Page-write (128 byte), 120ns, Vcc=4.5-5.5V, 100К циклов, 100 лет, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт.
Weitere Produktangebote SST29EE0201204CNH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SST29EE020-120-4C-NH | Hersteller : SST | 04+ PLCC32 |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SST29EE020-120-4C-NH | Hersteller : SST | Память параллельная EEPROM (2M bit (256Kx8), Page-write (128 byte), 120ns, Vcc=4.5-5.5V, 100К циклов, 100 лет, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: PLCC-32 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SST29EE020-120-4C-NH | Hersteller : Greenliant | NOR Flash 256K X 8 120ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SST29EE020-120-4C-NH | Hersteller : Microchip Technology | EEPROM |
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