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STH345N6F7-6

STH345N6F7-6 STMICROELECTRONICS


4600551.pdf Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH345N6F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 397 A, 0.0012 ohm, H2PAK-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 397A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: H2PAK-6
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details STH345N6F7-6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STH345N6F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 397 A, 0.0012 ohm, H2PAK-6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 397A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: H2PAK-6, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).