TK100E08N1,S1X(S Toshiba
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Technische Details TK100E08N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
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TK100E08N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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TK100E08N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
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