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TK10A60W5,S5VX(M

TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA

3934617.pdf Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK10A60W5,S5VX(M Hersteller : Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK10A60W5,S5VX(M Hersteller : TOSHIBA TK10A60W5 THT N channel transistors
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TK10A60W5,S5VX(M Hersteller : Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK10A60W5,S5VX(M Hersteller : Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK10A60W5,S5VX(M Hersteller : Toshiba 69tk10a60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf PWR-MOSFET N-CHANNEL
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