TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.7 EUR |
| 87+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
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Technische Details TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK10A60W5,S5VX(M
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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TK10A60W5,S5VX(M | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Power dissipation: 30W Case: SC67 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TK10A60W5,S5VX(M | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK10A60W5,S5VX(M |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 30W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 30W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TK10A60W5,S5VX(M |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)