TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Case: SC67
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.7A
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 30W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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Technische Details TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67, Mounting: THT, Case: SC67, Polarisation: unipolar, Drain current: 9.7A, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±30V, Gate charge: 25nC, On-state resistance: 0.45Ω, Power dissipation: 30W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TK10A60W5,S5VX(M | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK10A60W5,S5VX(M |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)