TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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Technische Details TK10A60W5,S5VX(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK10A60W5,S5VX(M nach Preis ab 1.53 EUR bis 2.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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TK10A60W5,S5VX(M | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 9.7A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 600V Case: SC67 Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK10A60W5,S5VX(M | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: To Be Advised |
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| TK10A60W5,S5VX(M | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK10A60W5,S5VX(M | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK10A60W5,S5VX(M | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK10A60W5,S5VX(M | Hersteller : Toshiba |
PWR-MOSFET N-CHANNEL |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |