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TK10J80E,S1E(S

TK10J80E,S1E(S TOSHIBA


3758286.pdf Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10J80E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details TK10J80E,S1E(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10J80E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK10J80E,S1E(S TK10J80E,S1E(S Hersteller : Toshiba 4tk10j80e_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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TK10J80E,S1E(S Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB98C40505288C0DC&compId=TK10J80E.pdf?ci_sign=96046eb722f22930a0d11aa3e2e5575ad32c5c46 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 30A; 250W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 250W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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