TK12A60W,S4VX(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK12A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
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Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details TK12A60W,S4VX(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TK12A60W,S4VX(M | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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| TK12A60W,S4VX(M | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |