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TK20E60U

TK20E60U TOSHIBA


TOSC-S-A0003867551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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Technische Details TK20E60U TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK20E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).

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TK20E60U Hersteller : Toshiba Toshiba
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