TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.72 EUR |
| 17+ | 4.23 EUR |
| 22+ | 3.26 EUR |
| 24+ | 3.07 EUR |
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Technische Details TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK20N60W,S1VF(S nach Preis ab 3.07 EUR bis 5.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TK20N60W,S1VF(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 165W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 55nC |
auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK20N60W,S1VF(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK20N60W,S1VF(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK20N60W,S1VF(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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