Produkte > TOSHIBA > TK31V60W5,LVQ(S
TK31V60W5,LVQ(S

TK31V60W5,LVQ(S Toshiba


126862616083375126862323122019tk31v60w5_datasheet_en_20160830.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+7.85 EUR
23+ 6.65 EUR
50+ 5.09 EUR
100+ 4.87 EUR
200+ 4.46 EUR
500+ 3.83 EUR
1000+ 3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK31V60W5,LVQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm.

Weitere Produktangebote TK31V60W5,LVQ(S

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5,LVQ(S Hersteller : TOSHIBA 3622509.pdf Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Anzahl der Pins: 5Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5,LVQ(S Hersteller : TOSHIBA 3622509.pdf Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5,LVQ(S Hersteller : Toshiba 126862616083375126862323122019tk31v60w5_datasheet_en_20160830.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK31V60W5,LVQ(S Hersteller : TOSHIBA TK31V60W5 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar