TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 54+ | 1.34 EUR |
| 60+ | 1.2 EUR |
| 68+ | 1.06 EUR |
| 70+ | 1.03 EUR |
| 74+ | 0.97 EUR |
| 75+ | 0.96 EUR |
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Technische Details TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 103W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote TK34E10N1,S1X(S nach Preis ab 0.96 EUR bis 1.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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TK34E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 103W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK34E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 103W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK34E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
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