TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
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Technische Details TK34E10N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 103W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK34E10N1,S1X(S nach Preis ab 0.9 EUR bis 1.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| TK34E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA | TK34E10N1 THT N channel transistors |
auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TK34E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
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