Technische Details TK39A60W,S4VX(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 50W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.
Weitere Produktangebote TK39A60W,S4VX(M nach Preis ab 6.69 EUR bis 30.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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TK39A60W,S4VX(M | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK39A60W,S4VX(M | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK39A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 50W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm |
auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK39A60W,S4VX(M |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 8 EUR |
| 50+ | 6.69 EUR |
| TK39A60W,S4VX(M |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 18+ | 10.07 EUR |
| TK39A60W,S4VX(M |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 9+ | 30.21 EUR |
| 13+ | 18.86 EUR |
| 15+ | 14.59 EUR |
| 50+ | 11.76 EUR |
| 100+ | 10.28 EUR |
| 250+ | 9.48 EUR |



