TK39N60X,S1F(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 8.45 EUR |
| 12+ | 6.06 EUR |
| 30+ | 6.03 EUR |
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Technische Details TK39N60X,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK39N60X,S1F(S nach Preis ab 6.03 EUR bis 8.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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TK39N60X,S1F(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38.8A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 85nC |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK39N60X,S1F(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK39N60X,S1F(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK39N60X,S1F(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |