TK3A90E,S4X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details TK3A90E,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| TK3A90E,S4X(S | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TK3A90E,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; Idm: 7.5A; 35W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Drain current: 2.5A On-state resistance: 4.6Ω Pulsed drain current: 7.5A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 900V |
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