TK650A60F,S4X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
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|---|---|
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Technische Details TK650A60F,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TK650A60F,S4X(S nach Preis ab 1.69 EUR bis 2.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TK650A60F,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Power dissipation: 45W Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A On-state resistance: 0.54Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 44A |
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TK650A60F,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK650A60F,S4X(S | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
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