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TK72E12N1,S1X(S

TK72E12N1,S1X(S Toshiba

495docget.jsppidtk72e12n1langentypedatasheet.jsppidtk72e12n1langenty.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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Technische Details TK72E12N1,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK72E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 179 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 179A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: To Be Advised.

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TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S Hersteller : TOSHIBA 3934756.pdf Description: TOSHIBA - TK72E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 179 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
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TK72E12N1,S1X(S Hersteller : TOSHIBA TK72E12N1 THT N channel transistors
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Produktcode: 189455
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