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TK72E12N1,S1X(S

TK72E12N1,S1X(S TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A102F566F893D6&compId=TK72E12N1.pdf?ci_sign=dde88a3bec80ce356ad75a2fdd0fbe57cfafbf11 Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
23+3.19 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
500+1.84 EUR
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Technische Details TK72E12N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK72E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 179 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 179A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A102F566F893D6&compId=TK72E12N1.pdf?ci_sign=dde88a3bec80ce356ad75a2fdd0fbe57cfafbf11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
23+3.19 EUR
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TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S Hersteller : TOSHIBA 3934756.pdf Description: TOSHIBA - TK72E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 179 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 119 Stücke:
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Produktcode: 189455
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TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S Hersteller : Toshiba 495docget.jsppidtk72e12n1langentypedatasheet.jsppidtk72e12n1langenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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