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Technische Details TK750A60F,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm.
Weitere Produktangebote TK750A60F,S4X(S nach Preis ab 1.88 EUR bis 6.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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TK750A60F,S4X(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK750A60F,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm |
auf Bestellung 579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK750A60F,S4X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK750A60F,S4X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.67 EUR |
| TK750A60F,S4X(S |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 6.07 EUR |
| 79+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| TK750A60F,S4X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)