auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 3.46 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TK9A90E,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK9A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK9A90E,S4X(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK9A90E,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK9A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
TK9A90E,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| TK9A90E,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 27A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |