TPH1R403NL1,LQ(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.44 EUR |
| 119+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
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Technische Details TPH1R403NL1,LQ(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 142W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.
Weitere Produktangebote TPH1R403NL1,LQ(M nach Preis ab 0.74 EUR bis 6.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TPH1R403NL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm |
auf Bestellung 4197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH1R403NL1,LQ(M | Toshiba |
MOSFETs Silicon N-Channel |
auf Bestellung 4368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH1R403NL1,LQ(M | Toshiba |
MOSFETs Silicon N-Channel |
auf Bestellung 4368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH1R403NL1,LQ(M |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 4197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.45 EUR |
| 68+ | 3.44 EUR |
| 119+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| TPH1R403NL1,LQ(M |
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Hersteller: Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel
MOSFETs Silicon N-Channel
auf Bestellung 4368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 240+ | 0.74 EUR |
| TPH1R403NL1,LQ(M |
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Hersteller: Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel
MOSFETs Silicon N-Channel
auf Bestellung 4368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.05 EUR |