TW027N65C,S1F(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: To Be Advised
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TW027N65C,S1F(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TW027N65C,S1F(S nach Preis ab 21.39 EUR bis 21.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TW027N65C,S1F(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 58A; 156W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 58A Power dissipation: 156W Case: TO247 On-state resistance: 37mΩ Gate charge: 65nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|