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TW027N65C,S1F(S TOSHIBA

Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 58A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
On-state resistance: 37mΩ
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement

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Technische Details TW027N65C,S1F(S TOSHIBA

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 58A; 156W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 58A, Power dissipation: 156W, Case: TO247, On-state resistance: 37mΩ, Gate charge: 65nC, Kind of channel: enhancement.