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WM02DN08D

WM02DN08D WAYON


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2670217B5A0D6&compId=WM02DN08D.pdf?ci_sign=053ec78552c076aca41259edf9e2959311e6f9cc Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2589 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
582+0.12 EUR
1374+0.052 EUR
1539+0.046 EUR
1743+0.041 EUR
3000+0.037 EUR
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Technische Details WM02DN08D WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 0.3W, Case: SOT363, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.25Ω, Gate charge: 1.1nC, Drain current: 0.8A, Pulsed drain current: 3A, Gate-source voltage: ±10V, Version: ESD, Drain-source voltage: 20V, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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WM02DN08D WM02DN08D Hersteller : WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D2670217B5A0D6&compId=WM02DN08D.pdf?ci_sign=053ec78552c076aca41259edf9e2959311e6f9cc Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
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