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WM02P26M

WM02P26M WAYON


Hersteller: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
404+0.18 EUR
870+0.082 EUR
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Mindestbestellmenge: 152
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Technische Details WM02P26M WAYON

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -2.6A, Pulsed drain current: -10A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 65mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.9nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote WM02P26M nach Preis ab 0.082 EUR bis 0.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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WM02P26M WM02P26M Hersteller : WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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