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WMB080N10HG2

WMB080N10HG2 WAYON


Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 65
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Technische Details WMB080N10HG2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 47A, Pulsed drain current: 296A, Power dissipation: 80.6W, Case: PDFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote WMB080N10HG2 nach Preis ab 0.74 EUR bis 1.1 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 Hersteller : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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