Produkte > WAYON > WMB090DNV6LG4
WMB090DNV6LG4

WMB090DNV6LG4 WAYON


Hersteller: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
99+0.73 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details WMB090DNV6LG4 WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W, Polarisation: unipolar, Case: PDFN5060-8, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET x2, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 160A, Drain current: 40A, Drain-source voltage: 65V, Gate charge: 22.1nC, On-state resistance: 10.5mΩ, Power dissipation: 27.8W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote WMB090DNV6LG4 nach Preis ab 0.73 EUR bis 1.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMB090DNV6LG4 WMB090DNV6LG4 Hersteller : WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH