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WMB119N10LG2

WMB119N10LG2 WAYON


Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
100+0.72 EUR
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Technische Details WMB119N10LG2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PDFN5060-8, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 13mΩ, Power dissipation: 75W, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 50A, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 148A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMB119N10LG2 WMB119N10LG2 Hersteller : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
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