Produkte > WAYON > WMB119N12HG4
WMB119N12HG4

WMB119N12HG4 WAYON


Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details WMB119N12HG4 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PDFN5060-8, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 23.7nC, On-state resistance: 12mΩ, Power dissipation: 96.1W, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 65A, Drain-source voltage: 120V, Pulsed drain current: 260A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote WMB119N12HG4 nach Preis ab 0.72 EUR bis 1.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMB119N12HG4 WMB119N12HG4 Hersteller : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
97+0.74 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH