WMJ25N80M3 WAYON
Hersteller: WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 7.51 EUR |
| 12+ | 6.01 EUR |
| 21+ | 3.45 EUR |
| 22+ | 3.26 EUR |
| 900+ | 3.22 EUR |
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Technische Details WMJ25N80M3 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ M3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 21A, Power dissipation: 250W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.26Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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WMJ25N80M3 | Hersteller : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 21A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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