Produkte > WAYON > WMK4N65D1B
WMK4N65D1B

WMK4N65D1B WAYON


Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
268+0.27 EUR
286+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details WMK4N65D1B WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 112W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 14.5nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: WMOS™ D1, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote WMK4N65D1B nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMK4N65D1B WMK4N65D1B Hersteller : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
268+0.27 EUR
286+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH