WMR09N02T1 WAYON
Hersteller: WAYONCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 36A; 1.67W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 1.67W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 125+ | 0.57 EUR |
| 329+ | 0.22 EUR |
| 472+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details WMR09N02T1 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 36A; 1.67W; DFN2020-6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 9A, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 1.67W, Case: DFN2020-6, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 17.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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WMR09N02T1 | Hersteller : WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 36A; 1.67W; DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 1.67W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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