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WMS080N10LG2

WMS080N10LG2 WAYON


Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:

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Anzahl Preis
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100+0.72 EUR
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Technische Details WMS080N10LG2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 10A, Pulsed drain current: 260A, Power dissipation: 3W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15.7nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMS080N10LG2 WMS080N10LG2 Hersteller : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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