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WMS13N03T1

WMS13N03T1 WAYON


Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
300+0.24 EUR
360+0.2 EUR
379+0.19 EUR
500+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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Technische Details WMS13N03T1 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 66A, Power dissipation: 3.1W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 20nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
WMS13N03T1 WMS13N03T1 Hersteller : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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