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UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf MOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-3
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+32.01 EUR
25+ 31.67 EUR
100+ 27.4 EUR
250+ 25.64 EUR
500+ 24.99 EUR
800+ 23.71 EUR
2400+ 23.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.82 EUR
10+ 18.34 EUR
100+ 15.86 EUR
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo UF3C065040K3S_Data_Sheet-3177024.pdf MOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+31.88 EUR
25+ 29.3 EUR
100+ 24.75 EUR
600+ 22.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.7 EUR
30+ 17.57 EUR
120+ 16.54 EUR
510+ 14.99 EUR
1020+ 13.75 EUR
UF3C065040K3S UF3C065040K3S QORVO 3750886.pdf Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.12 EUR
30+ 17.91 EUR
120+ 16.86 EUR
510+ 15.28 EUR
UF3C065040K4S UF3C065040K4S QORVO 3750887.pdf Description: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Qorvo UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf MOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.24 EUR
25+ 31.98 EUR
100+ 27.72 EUR
250+ 23.48 EUR
600+ 22.23 EUR
3000+ 21.76 EUR
5400+ 21.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065040T3S UF3C065040T3S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.82 EUR
50+ 16.85 EUR
100+ 15.86 EUR
UF3C065040T3S UF3C065040T3S QORVO 3750888.pdf Description: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065040T3S UF3C065040T3S Qorvo UF3C065040T3S_Data_Sheet-3177146.pdf MOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+36.35 EUR
25+ 29.43 EUR
100+ 27.69 EUR
250+ 27.64 EUR
500+ 24.88 EUR
1000+ 22.83 EUR
5000+ 22.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+17.97 EUR
25+ 17.68 EUR
100+ 14.85 EUR
250+ 14.43 EUR
500+ 14.38 EUR
800+ 11.78 EUR
2400+ 11.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 14577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.55 EUR
10+ 7.32 EUR
100+ 6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.38 EUR
10+ 12.32 EUR
100+ 10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 4303 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.27 EUR
25+ 20.1 EUR
100+ 17.13 EUR
250+ 16.07 EUR
500+ 15.83 EUR
800+ 13.62 EUR
2400+ 13.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+9.06 EUR
1600+ 8.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C065080K3S UF3C065080K3S Qorvo UF3C065080K3S_Data_Sheet-3177161.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+23.01 EUR
10+ 20.77 EUR
120+ 17.19 EUR
510+ 14.98 EUR
1020+ 14.04 EUR
2520+ 13.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080K3S UF3C065080K3S QORVO 3750890.pdf Description: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080K3S UF3C065080K3S Qorvo da008633 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 12183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.92 EUR
30+ 10.31 EUR
120+ 9.23 EUR
510+ 8.14 EUR
1020+ 7.33 EUR
2010+ 6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.94 EUR
25+ 19.66 EUR
100+ 16.48 EUR
250+ 14.38 EUR
600+ 13.05 EUR
1200+ 12.32 EUR
3000+ 12.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo da008634 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 13236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
30+ 10.65 EUR
120+ 9.53 EUR
510+ 8.41 EUR
1020+ 7.57 EUR
2010+ 7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065080K4S UF3C065080K4S QORVO 3750891.pdf Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo da008635 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 7639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.55 EUR
50+ 6.82 EUR
100+ 6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080T3S UF3C065080T3S QORVO 3750892.pdf Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+20.96 EUR
25+ 17.81 EUR
100+ 15.73 EUR
250+ 13.62 EUR
500+ 11.54 EUR
1000+ 10.92 EUR
5000+ 10.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C120040K3S UF3C120040K3S QORVO 3750893.pdf Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+79.04 EUR
25+ 69.76 EUR
100+ 60.45 EUR
250+ 51.17 EUR
600+ 48.44 EUR
3000+ 47.45 EUR
5400+ 46.02 EUR
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo da008636 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 36052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.73 EUR
30+ 28.03 EUR
UF3C120040K4S UF3C120040K4S QORVO 3750894.pdf Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo da008637 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.72 EUR
30+ 36.24 EUR
120+ 33.98 EUR
510+ 28.99 EUR
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+79.04 EUR
25+ 69.76 EUR
100+ 60.45 EUR
250+ 51.17 EUR
600+ 48.44 EUR
3000+ 47.45 EUR
5400+ 46.02 EUR
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+34.94 EUR
25+ 30.84 EUR
100+ 26.73 EUR
250+ 22.59 EUR
500+ 21.42 EUR
2400+ 21.01 EUR
4800+ 20.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo da008638 Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+12.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo da008638 Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.78 EUR
10+ 13.02 EUR
100+ 12.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120080K3S UF3C120080K3S Qorvo da008639 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 17658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.93 EUR
30+ 14.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120080K3S UF3C120080K3S Qorvo UF3C120080K3S_Data_Sheet-3177173.pdf MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 322-336 Tag (e)
2+39.47 EUR
25+ 34.81 EUR
100+ 30.19 EUR
250+ 25.53 EUR
600+ 24.21 EUR
3000+ 23.71 EUR
5400+ 23.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120080K4S UF3C120080K4S Qorvo da008640 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 16475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.53 EUR
30+ 19.06 EUR
120+ 17.94 EUR
510+ 16.26 EUR
1020+ 14.91 EUR
UF3C120080K4S UF3C120080K4S QORVO 3750896.pdf Description: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C120080K4S UF3C120080K4S Qorvo UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+40.85 EUR
25+ 33.28 EUR
100+ 31.15 EUR
250+ 27.95 EUR
600+ 25.69 EUR
3000+ 25.61 EUR
5400+ 25.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo da008641 Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.4 EUR
1600+ 7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo da008641 Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.32 EUR
10+ 11.42 EUR
100+ 9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf MOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 4902 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+19.55 EUR
25+ 17.24 EUR
100+ 14.95 EUR
250+ 12.64 EUR
500+ 11.99 EUR
2400+ 11.86 EUR
9600+ 11.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Qorvo da008642 Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.75 EUR
30+ 12.57 EUR
120+ 11.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Qorvo UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf MOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+23.09 EUR
25+ 20.36 EUR
100+ 17.65 EUR
250+ 14.95 EUR
600+ 14.14 EUR
3000+ 13.88 EUR
5400+ 13.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Qorvo UF3C120400B7S_Data_Sheet-3177191.pdf MOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+13.44 EUR
25+ 11.88 EUR
100+ 10.3 EUR
250+ 9.72 EUR
800+ 8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
UF3C120400B7S Qorvo da008946 Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C120400B7S Qorvo da008946 Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
auf Bestellung 1502 Stücke:
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2+10.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Qorvo UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf MOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
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250+ 11 EUR
600+ 10.45 EUR
3000+ 10.22 EUR
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UF3C120400K3S UF3C120400K3S Qorvo da008643 Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
auf Bestellung 587 Stücke:
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2+11.49 EUR
30+ 9.17 EUR
120+ 8.2 EUR
510+ 7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C170400B7S UF3C170400B7S Qorvo da008948 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
auf Bestellung 6655 Stücke:
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2+12.2 EUR
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UF3C170400B7S UF3C170400B7S Qorvo UF3C170400B7S_Data_Sheet-3177196.pdf MOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
UF3C170400B7S UF3C170400B7S Qorvo da008948 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
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800+7.69 EUR
1600+ 6.92 EUR
2400+ 6.48 EUR
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UF3C170400K3S UF3C170400K3S Qorvo UF3C170400K3S_Data_Sheet-3177209.pdf MOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
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4+17.19 EUR
25+ 13.73 EUR
100+ 12.71 EUR
600+ 12.69 EUR
10200+ 12.66 EUR
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UF3C170400K3S UF3C170400K3S Qorvo da008644 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
auf Bestellung 75577 Stücke:
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2+14.13 EUR
30+ 11.29 EUR
120+ 10.1 EUR
510+ 8.91 EUR
1020+ 8.02 EUR
2010+ 7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3N170400B7S UF3N170400B7S Qorvo UF3N170400B7S_Data_Sheet-3177149.pdf MOSFET 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
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3+20.72 EUR
25+ 18.3 EUR
100+ 15.86 EUR
250+ 13.42 EUR
500+ 12.71 EUR
2400+ 12.48 EUR
4800+ 12.06 EUR
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UF3N170400B7S UF3N170400B7S Qorvo da008645 Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
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800+8.91 EUR
1600+ 8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C065040B3 UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf
UF3C065040B3
Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-3
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2+32.01 EUR
25+ 31.67 EUR
100+ 27.4 EUR
250+ 25.64 EUR
500+ 24.99 EUR
800+ 23.71 EUR
2400+ 23.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065040B3
UF3C065040B3
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+20.82 EUR
10+ 18.34 EUR
100+ 15.86 EUR
UF3C065040B3
UF3C065040B3
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
UF3C065040K3S UF3C065040K3S_Data_Sheet-3177024.pdf
UF3C065040K3S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1620 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+31.88 EUR
25+ 29.3 EUR
100+ 24.75 EUR
600+ 22.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065040K3S
UF3C065040K3S
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+21.7 EUR
30+ 17.57 EUR
120+ 16.54 EUR
510+ 14.99 EUR
1020+ 13.75 EUR
UF3C065040K3S 3750886.pdf
UF3C065040K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065040K4S
UF3C065040K4S
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+22.12 EUR
30+ 17.91 EUR
120+ 16.86 EUR
510+ 15.28 EUR
UF3C065040K4S 3750887.pdf
UF3C065040K4S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065040K4S UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf
UF3C065040K4S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+36.24 EUR
25+ 31.98 EUR
100+ 27.72 EUR
250+ 23.48 EUR
600+ 22.23 EUR
3000+ 21.76 EUR
5400+ 21.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065040T3S
UF3C065040T3S
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+20.82 EUR
50+ 16.85 EUR
100+ 15.86 EUR
UF3C065040T3S 3750888.pdf
UF3C065040T3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065040T3S UF3C065040T3S_Data_Sheet-3177146.pdf
UF3C065040T3S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+36.35 EUR
25+ 29.43 EUR
100+ 27.69 EUR
250+ 27.64 EUR
500+ 24.88 EUR
1000+ 22.83 EUR
5000+ 22.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080B3
UF3C065080B3
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C065080B3 UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf
UF3C065080B3
Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+17.97 EUR
25+ 17.68 EUR
100+ 14.85 EUR
250+ 14.43 EUR
500+ 14.38 EUR
800+ 11.78 EUR
2400+ 11.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080B3
UF3C065080B3
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 14577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+8.55 EUR
10+ 7.32 EUR
100+ 6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.38 EUR
10+ 12.32 EUR
100+ 10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065080B7S UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf
UF3C065080B7S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 4303 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+21.27 EUR
25+ 20.1 EUR
100+ 17.13 EUR
250+ 16.07 EUR
500+ 15.83 EUR
800+ 13.62 EUR
2400+ 13.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+9.06 EUR
1600+ 8.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C065080K3S UF3C065080K3S_Data_Sheet-3177161.pdf
UF3C065080K3S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+23.01 EUR
10+ 20.77 EUR
120+ 17.19 EUR
510+ 14.98 EUR
1020+ 14.04 EUR
2520+ 13.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080K3S 3750890.pdf
UF3C065080K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080K3S da008633
UF3C065080K3S
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 12183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+12.92 EUR
30+ 10.31 EUR
120+ 9.23 EUR
510+ 8.14 EUR
1020+ 7.33 EUR
2010+ 6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065080K4S UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf
UF3C065080K4S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+19.94 EUR
25+ 19.66 EUR
100+ 16.48 EUR
250+ 14.38 EUR
600+ 13.05 EUR
1200+ 12.32 EUR
3000+ 12.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080K4S da008634
UF3C065080K4S
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 13236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+13.34 EUR
30+ 10.65 EUR
120+ 9.53 EUR
510+ 8.41 EUR
1020+ 7.57 EUR
2010+ 7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C065080K4S 3750891.pdf
UF3C065080K4S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080T3S da008635
UF3C065080T3S
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 7639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+8.55 EUR
50+ 6.82 EUR
100+ 6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C065080T3S 3750892.pdf
UF3C065080T3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C065080T3S UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf
UF3C065080T3S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+20.96 EUR
25+ 17.81 EUR
100+ 15.73 EUR
250+ 13.62 EUR
500+ 11.54 EUR
1000+ 10.92 EUR
5000+ 10.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C120040K3S 3750893.pdf
UF3C120040K3S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C120040K3S UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf
UF3C120040K3S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+79.04 EUR
25+ 69.76 EUR
100+ 60.45 EUR
250+ 51.17 EUR
600+ 48.44 EUR
3000+ 47.45 EUR
5400+ 46.02 EUR
UF3C120040K3S da008636
UF3C120040K3S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 36052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+30.73 EUR
30+ 28.03 EUR
UF3C120040K4S 3750894.pdf
UF3C120040K4S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
UF3C120040K4S da008637
UF3C120040K4S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+43.72 EUR
30+ 36.24 EUR
120+ 33.98 EUR
510+ 28.99 EUR
UF3C120040K4S UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf
UF3C120040K4S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+79.04 EUR
25+ 69.76 EUR
100+ 60.45 EUR
250+ 51.17 EUR
600+ 48.44 EUR
3000+ 47.45 EUR
5400+ 46.02 EUR
UF3C120080B7S UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf
UF3C120080B7S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+34.94 EUR
25+ 30.84 EUR
100+ 26.73 EUR
250+ 22.59 EUR
500+ 21.42 EUR
2400+ 21.01 EUR
4800+ 20.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120080B7S da008638
UF3C120080B7S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+12.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C120080B7S da008638
UF3C120080B7S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.78 EUR
10+ 13.02 EUR
100+ 12.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120080K3S da008639
UF3C120080K3S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 17658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+16.93 EUR
30+ 14.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120080K3S UF3C120080K3S_Data_Sheet-3177173.pdf
UF3C120080K3S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 322-336 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+39.47 EUR
25+ 34.81 EUR
100+ 30.19 EUR
250+ 25.53 EUR
600+ 24.21 EUR
3000+ 23.71 EUR
5400+ 23.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120080K4S da008640
UF3C120080K4S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 16475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+23.53 EUR
30+ 19.06 EUR
120+ 17.94 EUR
510+ 16.26 EUR
1020+ 14.91 EUR
UF3C120080K4S 3750896.pdf
UF3C120080K4S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 89 Stücke:
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UF3C120080K4S UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf
UF3C120080K4S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 437 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+40.85 EUR
25+ 33.28 EUR
100+ 31.15 EUR
250+ 27.95 EUR
600+ 25.69 EUR
3000+ 25.61 EUR
5400+ 25.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120150B7S da008641
UF3C120150B7S
Hersteller: Qorvo
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+8.4 EUR
1600+ 7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C120150B7S da008641
UF3C120150B7S
Hersteller: Qorvo
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+13.32 EUR
10+ 11.42 EUR
100+ 9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120150B7S UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf
UF3C120150B7S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 4902 Stücke:
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3+19.55 EUR
25+ 17.24 EUR
100+ 14.95 EUR
250+ 12.64 EUR
500+ 11.99 EUR
2400+ 11.86 EUR
9600+ 11.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C120150K4S da008642
UF3C120150K4S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+15.75 EUR
30+ 12.57 EUR
120+ 11.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120150K4S UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf
UF3C120150K4S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 62 Stücke:
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3+23.09 EUR
25+ 20.36 EUR
100+ 17.65 EUR
250+ 14.95 EUR
600+ 14.14 EUR
3000+ 13.88 EUR
5400+ 13.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3C120400B7S UF3C120400B7S_Data_Sheet-3177191.pdf
UF3C120400B7S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 326 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
4+13.44 EUR
25+ 11.88 EUR
100+ 10.3 EUR
250+ 9.72 EUR
800+ 8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
UF3C120400B7S da008946
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
auf Bestellung 800 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
800+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C120400B7S da008946
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+10.12 EUR
10+ 8.5 EUR
100+ 6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C120400K3S UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf
UF3C120400K3S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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4+17 EUR
25+ 15.03 EUR
100+ 13 EUR
250+ 11 EUR
600+ 10.45 EUR
3000+ 10.22 EUR
5400+ 9.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
UF3C120400K3S da008643
UF3C120400K3S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+11.49 EUR
30+ 9.17 EUR
120+ 8.2 EUR
510+ 7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C170400B7S da008948
UF3C170400B7S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
auf Bestellung 6655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+12.2 EUR
10+ 10.46 EUR
100+ 8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3C170400B7S UF3C170400B7S_Data_Sheet-3177196.pdf
UF3C170400B7S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO263-7
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UF3C170400B7S da008948
UF3C170400B7S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+7.69 EUR
1600+ 6.92 EUR
2400+ 6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 800
UF3C170400K3S UF3C170400K3S_Data_Sheet-3177209.pdf
UF3C170400K3S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+17.19 EUR
25+ 13.73 EUR
100+ 12.71 EUR
600+ 12.69 EUR
10200+ 12.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
UF3C170400K3S da008644
UF3C170400K3S
Hersteller: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
auf Bestellung 75577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.13 EUR
30+ 11.29 EUR
120+ 10.1 EUR
510+ 8.91 EUR
1020+ 8.02 EUR
2010+ 7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
UF3N170400B7S UF3N170400B7S_Data_Sheet-3177149.pdf
UF3N170400B7S
Hersteller: Qorvo
MOSFET 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+20.72 EUR
25+ 18.3 EUR
100+ 15.86 EUR
250+ 13.42 EUR
500+ 12.71 EUR
2400+ 12.48 EUR
4800+ 12.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
UF3N170400B7S da008645
UF3N170400B7S
Hersteller: Qorvo
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+8.91 EUR
1600+ 8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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