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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SA1104
Produktcode: 160967
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Sanken 2sa1104-savantic.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PN
U, V: 120 V
U, V: 120 V
I, А: 8 А
h21,max: 180
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1123
Produktcode: 153274
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Panasonic 2sa1123-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92B
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
h21,max: 450
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1145-Y
Produktcode: 112786
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2sa1145-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1156-Y
Produktcode: 112789
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NEC datasheet2SA1156-Y.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
U, V: 400 V
U, V: 400 V
I, А: 0,5 A
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1160 2SA1160
Produktcode: 184995
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2sa1160.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 140 MHz
U, V: 10 V
U, V: 20 V
I, А: 2 A
h21,max: 120
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1121SC91TR-E Renesas 2SA1121SC91TR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1491+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1491
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTL-E 2SA1122CCTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2704+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTL-E Renesas RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CCTL-E
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3308+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3308
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTR-E 2SA1122CCTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2704+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTR-E Renesas HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CCTR-E
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3308+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3308
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CDTL-E 2SA1122CDTL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CDTL-E Renesas RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CDTL-E
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1810+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1810
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CDTR-E 2SA1122CDTR-E Renesas Electronics Corporation HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2704+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CDTR-E Renesas HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SA1122CDTR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3308+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3308
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1152-A 2SA1152-A Renesas Electronics Corporation RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
auf Bestellung 28887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
854+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 854
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 43526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
182+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 29796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.20 EUR
22+0.13 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(B 2SA1162-GR,LF(B Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2208+0.07 EUR
2500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2208
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(T 2SA1162-GR,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXGF(T 2SA1162-GR,LXGF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.10 EUR
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 13261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.45 EUR
10+0.29 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
53+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF(T 2SA1162-GR,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 16928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+0.18 EUR
25+0.12 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LF 2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 5215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
182+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
53+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF 2SA1162-O,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 5979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.32 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF(T 2SA1162-O,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.23 EUR
22+0.13 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 36861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
182+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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2SA1162-Y,LF(B 2SA1162-Y,LF(B Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 17636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2977+0.05 EUR
3068+0.05 EUR
5000+0.05 EUR
10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2977
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2449 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 2SA1162-Y,LF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXGF(T Toshiba 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf Transistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2598+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2598
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 8335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.45 EUR
10+0.29 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
53+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF(T 2SA1162-Y,LXHF(T TOSHIBA 4163386.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162GT1 2SA1162GT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162GT1 ON Semiconductor 2sa1162gt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16130+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162 2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16130+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-Y,LF(D Toshiba TRANSISTOR (SILICON)
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1271+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1 2SA1162YT1 onsemi 2sa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1 ON Semiconductor 2sa1162gt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 32070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
69+0.26 EUR
110+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 55154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.30 EUR
14+0.20 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
24000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.07 EUR
21000+0.07 EUR
30000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1104
Produktcode: 160967
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2sa1104-savantic.pdf
Hersteller: Sanken
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PN
U, V: 120 V
U, V: 120 V
I, А: 8 А
h21,max: 180
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1123
Produktcode: 153274
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2sa1123-datasheet.pdf
Hersteller: Panasonic
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92B
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
h21,max: 450
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1145-Y
Produktcode: 112786
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2sa1145-datasheet.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1156-Y
Produktcode: 112789
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datasheet2SA1156-Y.pdf
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
U, V: 400 V
U, V: 400 V
I, А: 0,5 A
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1160
Produktcode: 184995
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2sa1160.pdf
2SA1160
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 140 MHz
U, V: 10 V
U, V: 20 V
I, А: 2 A
h21,max: 120
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1121SC91TR-E
Hersteller: Renesas
2SA1121SC91TR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1491+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1491
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTL-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2704+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1122CCTL-E
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3308+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3308
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CCTR-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2704+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CCTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1122CCTR-E
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3308+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3308
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1122CDTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTL-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1480+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
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2SA1122CDTL-E RNCCS01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1122CDTL-E
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1810+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1810
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2SA1122CDTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1122CDTR-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2704+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2704
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2SA1122CDTR-E HITAD140-135.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
2SA1122CDTR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3308+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3308
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2SA1152-A RNCCS09743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1152-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
auf Bestellung 28887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
854+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 854
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2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 43526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
182+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-GR,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 29796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+0.20 EUR
22+0.13 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(B 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2208+0.07 EUR
2500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2208
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXGF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
2SA1162-GR,LXGF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.10 EUR
15000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-GR,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 13261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.45 EUR
10+0.29 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-GR,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
53+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-GR,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-GR,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-O,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 16928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+0.18 EUR
25+0.12 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 5215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
182+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-O,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
53+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-O,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 5979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.52 EUR
10+0.32 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-O,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-O,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-Y,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.23 EUR
22+0.13 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 36861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
182+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(B 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf
2SA1162-Y,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 17636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2977+0.05 EUR
3068+0.05 EUR
5000+0.05 EUR
10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2977
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 2sa1162_datasheet_en_20211006.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXGF(T 2sa1162_datasheet_en_20201030.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2598+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2598
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006-1150392.pdf
2SA1162-Y,LXHF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 8335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.45 EUR
10+0.29 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
2SA1162-Y,LXHF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
53+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162-Y,LXHF(T 4163386.pdf
2SA1162-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162GT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162GT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11539+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162GT1 2sa1162gt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(D 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
Hersteller: Toshiba
2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16130+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-GR,LF(D 2SA1162_datasheet_en_20211006.pdf?did=19351&prodName=2SA1162
Hersteller: Toshiba
2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16130+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162S-Y,LF(D
Hersteller: Toshiba
TRANSISTOR (SILICON)
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1271+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1 2sa1162gt1-d.pdf
2SA1162YT1
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11539+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1162YT1 2sa1162gt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 32070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+0.42 EUR
69+0.26 EUR
110+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302-1916313.pdf
2SA1163-BL,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 55154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.30 EUR
14+0.20 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
24000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.07 EUR
21000+0.07 EUR
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2SA1163-BL,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SA1163-BL,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SA1163-BL,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1497 Stücke:
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