Suchergebnisse für "2SA11" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1491
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2704
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3308
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2704
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3308
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1480
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1810
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2704
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3308
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 854
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2208
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2977
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2598
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 16130
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 16130
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1271
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1104 Produktcode: 160967
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Sanken |
![]() Gehäuse: TO-3PN U, V: 120 V U, V: 120 V I, А: 8 А h21,max: 180 |
auf Bestellung 8 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
2SA1123 Produktcode: 153274
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Panasonic |
![]() Gehäuse: TO-92B fT: 200 MHz U, V: 150 V U, V: 150 V I, А: 0,05 A h21,max: 450 |
auf Bestellung 8 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
2SA1145-Y Produktcode: 112786
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() Gehäuse: TO-92MOD fT: 200 MHz U, V: 150 V U, V: 150 V I, А: 0,05 A |
auf Bestellung 33 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
2SA1156-Y Produktcode: 112789
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
NEC |
![]() U, V: 400 V U, V: 400 V I, А: 0,5 A |
auf Bestellung 8 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
2SA1160 Produktcode: 184995
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() Gehäuse: TO-92MOD fT: 140 MHz U, V: 10 V U, V: 20 V I, А: 2 A h21,max: 120 |
auf Bestellung 8 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
2SA1121SC91TR-E | Renesas | 2SA1121SC91TR-E |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SA1122CCTL-E | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V Supplier Device Package: 3-CMPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
2SA1122CCTL-E | Renesas |
![]() |
auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SA1122CCTR-E | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V Supplier Device Package: 3-CMPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
2SA1122CCTR-E | Renesas |
![]() |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SA1122CDTL-E | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V Supplier Device Package: 3-CMPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
2SA1122CDTL-E | Renesas |
![]() |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SA1122CDTR-E | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V Supplier Device Package: 3-CMPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
2SA1122CDTR-E | Renesas |
![]() |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SA1152-A | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V |
auf Bestellung 28887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 43526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 29796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LF(B | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 3157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LXGF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 1925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LXHF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 13261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 19681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LXHF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-GR,LXHF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-O,LF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 16928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-O,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 5215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-O,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-O,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 5865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-O,LXHF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 5979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-O,LXHF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-O,LXHF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 36861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LF(B | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 17636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 2449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
2SA1162-Y,LXGF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LXHF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 8335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 15692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LXHF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162-Y,LXHF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1162GT1 | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 137980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
2SA1162GT1 | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 137980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
2SA1162S-GR,LF(D | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
2SA1162S-GR,LF(D | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 207000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
2SA1162S-Y,LF(D | Toshiba | TRANSISTOR (SILICON) |
auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SA1162YT1 | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 130820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
2SA1162YT1 | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 130820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2SA1163-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 32070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1163-BL,LF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 55154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1163-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
2SA1163-BL,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1163-BL,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
2SA1163-BL,LF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
2SA1104 Produktcode: 160967
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Sanken
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PN
U, V: 120 V
U, V: 120 V
I, А: 8 А
h21,max: 180
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-3PN
U, V: 120 V
U, V: 120 V
I, А: 8 А
h21,max: 180
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1123 Produktcode: 153274
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Panasonic
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92B
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
h21,max: 450
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92B
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
h21,max: 450
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1145-Y Produktcode: 112786
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 200 MHz
U, V: 150 V
U, V: 150 V
I, А: 0,05 A
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1156-Y Produktcode: 112789
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1160 Produktcode: 184995
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 140 MHz
U, V: 10 V
U, V: 20 V
I, А: 2 A
h21,max: 120
Gehäuse: TO-92MOD
fT: 140 MHz
U, V: 10 V
U, V: 20 V
I, А: 2 A
h21,max: 120
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1121SC91TR-E |
Hersteller: Renesas
2SA1121SC91TR-E
2SA1121SC91TR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1491+ | 0.41 EUR |
2SA1122CCTL-E |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2704+ | 0.19 EUR |
2SA1122CCTL-E |
![]() |
Hersteller: Renesas
2SA1122CCTL-E
2SA1122CCTL-E
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3308+ | 0.18 EUR |
2SA1122CCTR-E |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2704+ | 0.19 EUR |
2SA1122CCTR-E |
![]() |
Hersteller: Renesas
2SA1122CCTR-E
2SA1122CCTR-E
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3308+ | 0.18 EUR |
2SA1122CDTL-E |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1480+ | 0.34 EUR |
2SA1122CDTL-E |
![]() |
Hersteller: Renesas
2SA1122CDTL-E
2SA1122CDTL-E
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1810+ | 0.33 EUR |
2SA1122CDTR-E |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 55V 0.1A 3-CMPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2704+ | 0.19 EUR |
2SA1122CDTR-E |
![]() |
Hersteller: Renesas
2SA1122CDTR-E
2SA1122CDTR-E
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3308+ | 0.18 EUR |
2SA1152-A |
![]() |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Description: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
auf Bestellung 28887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
854+ | 0.59 EUR |
2SA1162-GR,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 43526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 0.25 EUR |
113+ | 0.16 EUR |
182+ | 0.10 EUR |
500+ | 0.07 EUR |
1000+ | 0.06 EUR |
2SA1162-GR,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 29796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 0.20 EUR |
22+ | 0.13 EUR |
100+ | 0.06 EUR |
1000+ | 0.05 EUR |
3000+ | 0.04 EUR |
9000+ | 0.03 EUR |
24000+ | 0.03 EUR |
2SA1162-GR,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.05 EUR |
6000+ | 0.05 EUR |
9000+ | 0.04 EUR |
15000+ | 0.04 EUR |
21000+ | 0.04 EUR |
30000+ | 0.04 EUR |
2SA1162-GR,LF(B |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2208+ | 0.07 EUR |
2500+ | 0.07 EUR |
2SA1162-GR,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-GR,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-GR,LXGF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-GR,LXHF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.12 EUR |
6000+ | 0.10 EUR |
9000+ | 0.10 EUR |
15000+ | 0.09 EUR |
2SA1162-GR,LXHF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 13261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 0.45 EUR |
10+ | 0.29 EUR |
100+ | 0.14 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
3000+ | 0.09 EUR |
9000+ | 0.08 EUR |
24000+ | 0.08 EUR |
2SA1162-GR,LXHF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 19681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 0.56 EUR |
53+ | 0.34 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
500+ | 0.16 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |
2SA1162-GR,LXHF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-GR,LXHF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-O,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 16928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 0.18 EUR |
25+ | 0.12 EUR |
100+ | 0.06 EUR |
1000+ | 0.05 EUR |
3000+ | 0.04 EUR |
9000+ | 0.03 EUR |
24000+ | 0.03 EUR |
2SA1162-O,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 5215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 0.25 EUR |
113+ | 0.16 EUR |
182+ | 0.10 EUR |
500+ | 0.07 EUR |
1000+ | 0.06 EUR |
2SA1162-O,LXHF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.12 EUR |
2SA1162-O,LXHF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 0.56 EUR |
53+ | 0.34 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
500+ | 0.16 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |
2SA1162-O,LXHF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 5979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 0.52 EUR |
10+ | 0.32 EUR |
100+ | 0.13 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
3000+ | 0.09 EUR |
9000+ | 0.08 EUR |
2SA1162-O,LXHF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-O,LXHF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-Y,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.05 EUR |
6000+ | 0.05 EUR |
9000+ | 0.04 EUR |
15000+ | 0.04 EUR |
21000+ | 0.04 EUR |
30000+ | 0.04 EUR |
2SA1162-Y,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 0.23 EUR |
22+ | 0.13 EUR |
100+ | 0.06 EUR |
1000+ | 0.05 EUR |
3000+ | 0.04 EUR |
9000+ | 0.03 EUR |
24000+ | 0.03 EUR |
2SA1162-Y,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 36861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 0.25 EUR |
113+ | 0.16 EUR |
182+ | 0.10 EUR |
500+ | 0.07 EUR |
1000+ | 0.06 EUR |
2SA1162-Y,LF(B |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 17636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2977+ | 0.05 EUR |
3068+ | 0.05 EUR |
5000+ | 0.05 EUR |
10000+ | 0.05 EUR |
2SA1162-Y,LF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-Y,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-Y,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-Y,LXGF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Transistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101
Transistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2598+ | 0.06 EUR |
2SA1162-Y,LXHF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.12 EUR |
6000+ | 0.10 EUR |
9000+ | 0.10 EUR |
2SA1162-Y,LXHF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
auf Bestellung 8335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 0.45 EUR |
10+ | 0.29 EUR |
100+ | 0.14 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
3000+ | 0.09 EUR |
9000+ | 0.08 EUR |
24000+ | 0.08 EUR |
2SA1162-Y,LXHF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 0.56 EUR |
53+ | 0.34 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
500+ | 0.16 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |
2SA1162-Y,LXHF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162-Y,LXHF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1162GT1 |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11539+ | 0.05 EUR |
2SA1162GT1 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 137980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14085+ | 0.04 EUR |
2SA1162S-GR,LF(D |
![]() |
Hersteller: Toshiba
2SA1162S-GR,LF(D
2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16130+ | 0.04 EUR |
2SA1162S-GR,LF(D |
![]() |
Hersteller: Toshiba
2SA1162S-GR,LF(D
2SA1162S-GR,LF(D
auf Bestellung 207000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16130+ | 0.04 EUR |
2SA1162S-Y,LF(D |
Hersteller: Toshiba
TRANSISTOR (SILICON)
TRANSISTOR (SILICON)
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1271+ | 0.48 EUR |
2SA1162YT1 |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11539+ | 0.05 EUR |
2SA1162YT1 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 130820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14085+ | 0.04 EUR |
2SA1163-BL,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 32070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 0.42 EUR |
69+ | 0.26 EUR |
110+ | 0.16 EUR |
500+ | 0.12 EUR |
1000+ | 0.10 EUR |
2SA1163-BL,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 55154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 0.30 EUR |
14+ | 0.20 EUR |
100+ | 0.10 EUR |
1000+ | 0.09 EUR |
3000+ | 0.07 EUR |
9000+ | 0.06 EUR |
24000+ | 0.06 EUR |
2SA1163-BL,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.09 EUR |
6000+ | 0.08 EUR |
9000+ | 0.07 EUR |
15000+ | 0.07 EUR |
21000+ | 0.07 EUR |
30000+ | 0.06 EUR |
2SA1163-BL,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1163-BL,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1163-BL,LF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]