Suchergebnisse für "2SC4793" : 32
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SC4793 OSEN Produktcode: 208251
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Lieblingsprodukt
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OSEN |
![]() Gehäuse: TO-220F fT: 100 MHz Uceo,V: 230 V Ucbo,V: 230 V Ic,A: 1 А h21: 320 ZCODE: THT |
auf Bestellung 50 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SA1837/2SC4793 Transistor Paar Produktcode: 57727
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Lieblingsprodukt
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Toshiba |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-220FP fT: 70 MHz U, V: 230 V U, V: 230 V I, А: 1 А Bem.: NPN/PNP |
auf Bestellung 62 Paar: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SA1837/2SC4793 транзисторна пара Produktcode: 196247
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Lieblingsprodukt
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JSMicro |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-220FP fT: 70 MHz U, V: 230 V U, V: 230 V I, А: 1 А Bem.: NPN/PNP |
auf Bestellung 74 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC4793 | OSEN |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SC4793 | OSEN |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SC4793-O | JSMSEMI |
Transistor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Complementary to: 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793 T2SC4793 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SC4793 | Toshiba |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC4793(ROHS) | TOSHIBA |
auf Bestellung 44800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC4793-LB | TOSHIBA | 07+ TO-220 |
auf Bestellung 3922 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SA1837-2SC4793 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SA1837/2SC4793 | TOSHIBA |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SA1837/2SC4793; Транзисторная пара; Корпус: TO-220FP |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1837-O | JSMSEMI |
PNP 230V 1A Complementary to 2SC4793 2SA1837(F,M) T2SA1837 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSC4793 | CDIL |
Transistor PNP; Bipolar; 320; 230V; 5V; 70MHz; 1A; 20W; -55°C~150°C; Similar to: 2SC4793; CSC4793 T2SC4793 CDIL Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SC4793 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 27099
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Lieblingsprodukt
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Toshiba |
![]() Gehäuse: TO-220 fT: 100 MHz Uceo,V: 230 Ucbo,V: 230 Ic,A: 1 h21: 320 ZCODE: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC4793 | EVVO |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220F Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 50 W |
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2SC4793 | onsemi / Fairchild |
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2SC4793 | Toshiba |
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2SC4793 (F,M) | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
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2SC4793 (T) | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
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2SC4793 (T) | Toshiba |
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2SC4793(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
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2SC4793(LBSAN,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
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2SC4793(PAIO,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
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2SC4793,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SC4793,HFEF(J | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SC4793,HFEF(M | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SC4793,NSEIKIF(J | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SC4793,TOA1F(J | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SC4793,WNLF(J | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SC4793,YHF(J | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SC4793,YHF(M | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
2SC4793 OSEN Produktcode: 208251
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: OSEN
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220F
fT: 100 MHz
Uceo,V: 230 V
Ucbo,V: 230 V
Ic,A: 1 А
h21: 320
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220F
fT: 100 MHz
Uceo,V: 230 V
Ucbo,V: 230 V
Ic,A: 1 А
h21: 320
ZCODE: THT
auf Bestellung 50 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1837/2SC4793 Transistor Paar Produktcode: 57727
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
fT: 70 MHz
U, V: 230 V
U, V: 230 V
I, А: 1 А
Bem.: NPN/PNP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
fT: 70 MHz
U, V: 230 V
U, V: 230 V
I, А: 1 А
Bem.: NPN/PNP
auf Bestellung 62 Paar:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1837/2SC4793 транзисторна пара Produktcode: 196247
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: JSMicro
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
fT: 70 MHz
U, V: 230 V
U, V: 230 V
I, А: 1 А
Bem.: NPN/PNP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
fT: 70 MHz
U, V: 230 V
U, V: 230 V
I, А: 1 А
Bem.: NPN/PNP
auf Bestellung 74 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC4793 |
![]() |
Hersteller: OSEN
Transistor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Complementary to: 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793 T2SC4793
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Complementary to: 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793 T2SC4793
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.75 EUR |
2SC4793 |
![]() |
Hersteller: OSEN
Transistor PNP/NPN; Bipolar; 320; 230V; 5V; 100MHz; 1A; 20W; -55°C~125°C; 2SC4793 T2SC4793 OSEN
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor PNP/NPN; Bipolar; 320; 230V; 5V; 100MHz; 1A; 20W; -55°C~125°C; 2SC4793 T2SC4793 OSEN
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.67 EUR |
2SC4793-O |
Hersteller: JSMSEMI
Transistor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Complementary to: 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793 T2SC4793
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Complementary to: 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793 T2SC4793
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.82 EUR |
2SC4793 |
![]() |
Hersteller: Toshiba
TO-220FP-3, NPN, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=100MHz, hfe=320, -55...+150
TO-220FP-3, NPN, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=100MHz, hfe=320, -55...+150
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC4793(ROHS) |
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 44800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC4793-LB |
Hersteller: TOSHIBA
07+ TO-220
07+ TO-220
auf Bestellung 3922 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1837-2SC4793 |
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1837/2SC4793 |
Hersteller: TOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1837/2SC4793; Транзисторная пара; Корпус: TO-220FP |
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SA1837-O |
Hersteller: JSMSEMI
PNP 230V 1A Complementary to 2SC4793 2SA1837(F,M) T2SA1837
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
PNP 230V 1A Complementary to 2SC4793 2SA1837(F,M) T2SA1837
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.72 EUR |
CSC4793 |
Hersteller: CDIL
Transistor PNP; Bipolar; 320; 230V; 5V; 70MHz; 1A; 20W; -55°C~150°C; Similar to: 2SC4793; CSC4793 T2SC4793 CDIL
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor PNP; Bipolar; 320; 230V; 5V; 70MHz; 1A; 20W; -55°C~150°C; Similar to: 2SC4793; CSC4793 T2SC4793 CDIL
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.00 EUR |
2SC4793 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 27099
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 100 MHz
Uceo,V: 230
Ucbo,V: 230
Ic,A: 1
h21: 320
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 100 MHz
Uceo,V: 230
Ucbo,V: 230
Ic,A: 1
h21: 320
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.44 EUR |
10+ | 0.40 EUR |
2SC4793 |
![]() |
Hersteller: EVVO
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2SC4793 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2SC4793 |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
Bipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2SC4793 (F,M) |
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2SC4793 (T) |
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2SC4793 (T) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2SC4793(F,M) |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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2SC4793(LBSAN,F,M) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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2SC4793(PAIO,F,M) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
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Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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2SC4793,F(J |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
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2SC4793,HFEF(J |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
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Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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2SC4793,HFEF(M |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
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2SC4793,NSEIKIF(J |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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2SC4793,TOA1F(J |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
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Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
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2SC4793,WNLF(J |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2SC4793,YHF(J |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2SC4793,YHF(M |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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