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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
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Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SK10582SJ162 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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NTE2926 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 160V Drain current: 7A Power dissipation: 100W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK1058 Produktcode: 38377
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Lieblingsprodukt
|
Renesas |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-3P Uds,V: 160 Idd,A: 7 Ciss, pF/Qg, nC: 600/ JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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2SK1058+2SJ162 Paar Produktcode: 38449
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Lieblingsprodukt
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Renesas |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-3P Uds,V: 160 Idd,A: 7 Ciss, pF/Qg, nC: 600/ JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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2SK1058-E | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
2SK10582SJ162 |
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTE2926 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
2SK1058 Produktcode: 38377
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Renesas
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Uds,V: 160
Idd,A: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Uds,V: 160
Idd,A: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.52 EUR |
2SK1058+2SJ162 Paar Produktcode: 38449
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Renesas
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Uds,V: 160
Idd,A: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Uds,V: 160
Idd,A: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
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1+ | 9.00 EUR |
10+ | 7.84 EUR |
2SK1058-E |
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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
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