Suchergebnisse für "2SK1058" : 5

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SK10582SJ162
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2926 NTE2926 NTE Electronics nte2926.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK1058 2SK1058
Produktcode: 38377
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Renesas Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Uds,V: 160
Idd,A: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK1058+2SJ162 Paar 2SK1058+2SJ162 Paar
Produktcode: 38449
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Renesas Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Uds,V: 160
Idd,A: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+9.00 EUR
10+7.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK1058-E 2SK1058-E Renesas Electronics Corporation 2sk1056-2sk1057-2sk1058-datasheet Description: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
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2SK10582SJ162
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NTE2926
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Anzahl Preis
2+35.75 EUR
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2SK1058
Produktcode: 38377
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2SK1058
Hersteller: Renesas
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Uds,V: 160
Idd,A: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
JHGF: THT
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Anzahl Preis
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2SK1058+2SJ162 Paar
Produktcode: 38449
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2SK1058+2SJ162 Paar
Hersteller: Renesas
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3P
Uds,V: 160
Idd,A: 7
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
JHGF: THT
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2SK1058-E 2sk1056-2sk1057-2sk1058-datasheet
2SK1058-E
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
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