Suchergebnisse für "2sa2" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E ONSEMI 2sa2012-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT89
Frequency: 350MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+0.92 EUR
116+0.62 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E ONSEMI 2sa2012-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT89
Frequency: 350MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
78+0.92 EUR
116+0.62 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E onsemi 2SA2013_D-3538040.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.09 EUR
10+0.91 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 3196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1647+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1647
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1647+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1647
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2014-TD-E Aptina Imaging Trans GP BJT PNP 15V 9A 1300mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1358+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2015-TD-E Aptina Imaging 2SA2015-TD-E
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
933+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 933
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 8976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.99 EUR
15+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E onsemi EN6309_D-2311223.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 7A 50V
auf Bestellung 5257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.02 EUR
100+0.70 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 8450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.58 EUR
2000+0.53 EUR
3000+0.50 EUR
5000+0.48 EUR
7000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 5834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.90 EUR
10+0.58 EUR
100+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.20 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL ROHM 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTL 2SA2018E3HZGTL ROHM 2sa2018e3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL ROHM Semiconductor 2sa2018e3-e.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 2922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.40 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Rohm Semiconductor 2sa2018e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL ROHM 2sa2018e3-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL ROHM 2sa2018e3-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TL 2SA2018TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SA2018&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP 12V 0.5A
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.57 EUR
100+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2022 Sanyo Electric SNYOS02770-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 50V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
auf Bestellung 5107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1086+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1086
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2023 Aptina Imaging SNYOS02769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126ML
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
879+0.70 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 879
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2023 Aptina Imaging SNYOS02769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126ML
auf Bestellung 27599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
879+0.70 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 879
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LQ 2SA2029FHAT2LQ Rohm Semiconductor 2sa2029fha-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LQ 2SA2029FHAT2LQ ROHM Semiconductor 2sa2029fha-e.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor (Corresponds to AEC-Q101)
auf Bestellung 5274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.34 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
8000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LQ Rohm Semiconductor 2sa2029fha-e.pdf General Purpose Transistor Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
974+0.17 EUR
1007+0.16 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 974
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LR 2SA2029FHAT2LR Rohm Semiconductor 2sa2029fha-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LR 2SA2029FHAT2LR Rohm Semiconductor 2sa2029fha-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.40 EUR
65+0.27 EUR
107+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LR 2SA2029FHAT2LR ROHM Semiconductor 2sa2029fha-e.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor (Corresponds to AEC-Q101)
auf Bestellung 15279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
11+0.26 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
8000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029M3T5G 2SA2029M3T5G onsemi 2sa2029m3-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.08 EUR
16000+0.07 EUR
24000+0.07 EUR
40000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029M3T5G 2SA2029M3T5G onsemi 2SA2029M3_D-2309700.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
auf Bestellung 23322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.29 EUR
14+0.20 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.08 EUR
8000+0.06 EUR
24000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029M3T5G 2SA2029M3T5G onsemi 2sa2029m3-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 53872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
65+0.27 EUR
103+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2SA2029T2LQ Rohm Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 20634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
50+0.36 EUR
100+0.22 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2SA2029T2LQ ROHM Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
10+0.28 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.10 EUR
8000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2SA2029T2LQ Rohm Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
16000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2SA2029T2LQ Rohm Semiconductor 2sa1774e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
920+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2SA2029T2LQ Rohm Semiconductor 2sa1774e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
920+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2SA2029T2LQ Rohm Semiconductor 2sa1774e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 6172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
661+0.25 EUR
889+0.18 EUR
1002+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 661
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LR 2SA2029T2LR Rohm Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
52+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LR 2SA2029T2LR ROHM Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR PNP GEN. PURPOSE HFE RANK 'R'
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+0.40 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
8000+0.08 EUR
48000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2030T2L 2SA2030T2L ROHM Semiconductor datasheet?p=2SA2030&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP 12V 0.5A
auf Bestellung 22084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.58 EUR
100+0.30 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2031 ON Semiconductor SNYOS08178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 230V 15A 2500mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
790+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 790
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2031 Sanyo Electric SNYOS08178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
790+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 790
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-E onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 69300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.61 EUR
1400+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 700
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-E onsemi en6912-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
auf Bestellung 61632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.22 EUR
10+1.20 EUR
100+0.89 EUR
700+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-E onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 70043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
12+1.53 EUR
100+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-E ONSEMI en6912-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2039-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-E ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2039-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.81 EUR
1400+0.74 EUR
2100+0.71 EUR
3500+0.67 EUR
4900+0.64 EUR
7000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 700
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 7940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.57 EUR
11+1.62 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E onsemi en6913-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
auf Bestellung 24390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.10 EUR
10+1.09 EUR
100+0.96 EUR
700+0.65 EUR
1400+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E ON Semiconductor en6913-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 50; Ic = 8; ft, МГц = 290; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 40 мA, 2 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.90 EUR
10+2.50 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E ONSEMI ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E ONSEMI ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E ON Semiconductor 2sa2040-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.93 EUR
203+0.78 EUR
700+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-E 2sa2012-d.pdf
2SA2012-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT89
Frequency: 350MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
78+0.92 EUR
116+0.62 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-E 2sa2012-d.pdf
2SA2012-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT89
Frequency: 350MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
78+0.92 EUR
116+0.62 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013_D-3538040.pdf
2SA2013-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.09 EUR
10+0.91 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E en6307-d.pdf
2SA2013-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 3196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.64 EUR
18+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E en6307-d.pdf
2SA2013-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2sa2013-d.pdf
2SA2013-TD-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1647+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1647
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2sa2013-d.pdf
2SA2013-TD-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1647+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1647
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2013-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2sa2013-d.pdf
2SA2013-TD-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2013-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2014-TD-E
Hersteller: Aptina Imaging
Trans GP BJT PNP 15V 9A 1300mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1358+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2015-TD-E
Hersteller: Aptina Imaging
2SA2015-TD-E
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
933+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 933
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E en6309-d.pdf
2SA2016-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 8976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+1.99 EUR
15+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E EN6309_D-2311223.pdf
2SA2016-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 7A 50V
auf Bestellung 5257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.37 EUR
10+1.02 EUR
100+0.70 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E en6309-d.pdf
2SA2016-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 8450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.58 EUR
2000+0.53 EUR
3000+0.50 EUR
5000+0.48 EUR
7000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2016-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2016-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTL datasheet?p=2SA2018E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SA2018E3HZGTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 5834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.90 EUR
10+0.58 EUR
100+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.20 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTL 2sa2018e3hzgtl-e.pdf
2SA2018E3HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3HZGTL 2sa2018e3hzgtl-e.pdf
2SA2018E3HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2018E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2sa2018e3-e.pdf
2SA2018E3TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 2922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.65 EUR
10+0.40 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2sa2018e3-e.pdf
2SA2018E3TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2sa2018e3-e.pdf
2SA2018E3TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2sa2018e3-e.pdf
2SA2018E3TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018TL datasheet?p=2SA2018&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SA2018TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V 0.5A
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.89 EUR
10+0.57 EUR
100+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2022 SNYOS02770-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Sanyo Electric
Trans GP BJT PNP 50V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220ML
auf Bestellung 5107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1086+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1086
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2023 SNYOS02769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Aptina Imaging
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126ML
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
879+0.70 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 879
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2023 SNYOS02769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Aptina Imaging
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126ML
auf Bestellung 27599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
879+0.70 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 879
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LQ 2sa2029fha-e.pdf
2SA2029FHAT2LQ
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LQ 2sa2029fha-e.pdf
2SA2029FHAT2LQ
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor (Corresponds to AEC-Q101)
auf Bestellung 5274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.56 EUR
10+0.34 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
8000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LQ 2sa2029fha-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
General Purpose Transistor Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
974+0.17 EUR
1007+0.16 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 974
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LR 2sa2029fha-e.pdf
2SA2029FHAT2LR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LR 2sa2029fha-e.pdf
2SA2029FHAT2LR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+0.40 EUR
65+0.27 EUR
107+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029FHAT2LR 2sa2029fha-e.pdf
2SA2029FHAT2LR
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor (Corresponds to AEC-Q101)
auf Bestellung 15279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.39 EUR
11+0.26 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
8000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029M3T5G 2sa2029m3-d.pdf
2SA2029M3T5G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.08 EUR
16000+0.07 EUR
24000+0.07 EUR
40000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029M3T5G 2SA2029M3_D-2309700.pdf
2SA2029M3T5G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
auf Bestellung 23322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.29 EUR
14+0.20 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.08 EUR
8000+0.06 EUR
24000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029M3T5G 2sa2029m3-d.pdf
2SA2029M3T5G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 53872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+0.46 EUR
65+0.27 EUR
103+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2sa1576u3t106r-e.pdf
2SA2029T2LQ
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 20634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+0.58 EUR
50+0.36 EUR
100+0.22 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2sa1576u3t106r-e.pdf
2SA2029T2LQ
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.46 EUR
10+0.28 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.10 EUR
8000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2sa1576u3t106r-e.pdf
2SA2029T2LQ
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.11 EUR
16000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2sa1774e3-e.pdf
2SA2029T2LQ
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
920+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2sa1774e3-e.pdf
2SA2029T2LQ
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
920+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 920
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LQ 2sa1774e3-e.pdf
2SA2029T2LQ
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 6172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
661+0.25 EUR
889+0.18 EUR
1002+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 661
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LR 2sa1576u3t106r-e.pdf
2SA2029T2LR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
52+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2029T2LR 2sa1576u3t106r-e.pdf
2SA2029T2LR
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR PNP GEN. PURPOSE HFE RANK 'R'
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.54 EUR
10+0.40 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
8000+0.08 EUR
48000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2030T2L datasheet?p=2SA2030&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SA2030T2L
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V 0.5A
auf Bestellung 22084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.84 EUR
10+0.58 EUR
100+0.30 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2031 SNYOS08178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 230V 15A 2500mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
790+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 790
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2031 SNYOS08178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Sanyo Electric
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
790+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 790
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E en6912-d.pdf
2SA2039-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 69300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
700+0.61 EUR
1400+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 700
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E en6912-d.pdf
2SA2039-TL-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
auf Bestellung 61632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.22 EUR
10+1.20 EUR
100+0.89 EUR
700+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E en6912-d.pdf
2SA2039-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 70043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.43 EUR
12+1.53 EUR
100+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E en6912-d.pdf
2SA2039-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2039-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2039-TL-E ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2039-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2039-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E en6913-d.pdf
2SA2040-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
700+0.81 EUR
1400+0.74 EUR
2100+0.71 EUR
3500+0.67 EUR
4900+0.64 EUR
7000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 700
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E en6913-d.pdf
2SA2040-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 7940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.57 EUR
11+1.62 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E en6913-d.pdf
2SA2040-TL-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
auf Bestellung 24390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.10 EUR
10+1.09 EUR
100+0.96 EUR
700+0.65 EUR
1400+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E en6913-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP; Uceo, В = 50; Ic = 8; ft, МГц = 290; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 40 мA, 2 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+2.90 EUR
10+2.50 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2040-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2040-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E 2sa2040-d.pdf
2SA2040-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.93 EUR
203+0.78 EUR
700+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  Nächste Seite >> ]