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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| Транзистор IGBT GT50JR22 600V 44А 115Вт TO-3PN |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GT50JR22 Produktcode: 108218
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Lieblingsprodukt
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Toshiba |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-3PN Vces: 600 V Vce: 1,55 V Ic 25: 50 A Ic 100: 44 A Pd 25: 230 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33 |
Produkt ist nicht verfügbar
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GT50JR22(STA1,E,S) Produktcode: 152398
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GT50JR22(STA1,E,S) |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.81 EUR |
| 16+ | 4.59 EUR |
| 25+ | 4.05 EUR |
| 100+ | 3.85 EUR |
| Транзистор IGBT GT50JR22 600V 44А 115Вт TO-3PN |
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| GT50JR22 Produktcode: 108218
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
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| GT50JR22(STA1,E,S) Produktcode: 152398
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