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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 230 W |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
GT50JR22 Produktcode: 108218
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Lieblingsprodukt
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Toshiba |
![]() Gehäuse: TO-3PN Vces: 600 V Vce: 1,55 V Ic 25: 50 A Ic 100: 44 A Pd 25: 230 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
GT50JR22(STA1,E,S) Produktcode: 152398
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BSI063R0250JR22 | Vishay Sfernice |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GT50JR22(STA1,E,S) |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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14+ | 5.43 EUR |
17+ | 4.22 EUR |
18+ | 4.08 EUR |
25+ | 3.96 EUR |
GT50JR22(STA1,E,S) |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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14+ | 5.43 EUR |
17+ | 4.22 EUR |
18+ | 4.08 EUR |
25+ | 3.96 EUR |
100+ | 3.92 EUR |
GT50JR22(STA1,E,S) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 11.02 EUR |
Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN |
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GT50JR22 Produktcode: 108218
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
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GT50JR22(STA1,E,S) Produktcode: 152398
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