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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR22.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.43 EUR
17+4.22 EUR
18+4.08 EUR
25+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR22.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.43 EUR
17+4.22 EUR
18+4.08 EUR
25+3.96 EUR
100+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22 Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GT50JR22
Produktcode: 108218
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Toshiba gt50jr22-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
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GT50JR22(STA1,E,S)
Produktcode: 152398
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GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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BSI063R0250JR22 BSI063R0250JR22 Vishay Sfernice bsi.pdf Description: RES WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
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Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN
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GT50JR22
Produktcode: 108218
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
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GT50JR22(STA1,E,S)
Produktcode: 152398
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BSI063R0250JR22 bsi.pdf
BSI063R0250JR22
Hersteller: Vishay Sfernice
Description: RES WW AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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