Suchergebnisse für "Apt5010lvr" : 11

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APT5010LVRG APT5010LVRG Microchip Technology 6295-apt5010lvr-datasheet Description: MOSFET N-CH 500V 47A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.9 EUR
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APT5010LVRG APT5010LVRG Microchip Technology APL501J_D_Linear_MOSFET_Datasheet-3444314.pdf MOSFETs MOSFET MOS5 500 V 10 Ohm TO-264
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.22 EUR
100+25.24 EUR
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APT5010LVR APT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFK48N50 IXFK48N50 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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APT5010LVR TO-264
Produktcode: 46835
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8542 39 90 00
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APT5010LVRG
Produktcode: 174057
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6295-apt5010lvr-datasheet Transistoren > MOSFET N-CH
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APT5010LVRG APT5010LVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6295-apt5010lvr-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT5010LVRG APT5010LVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6295-apt5010lvr-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT5010LVRG APT5010LVRG Microchip Technology apt5010lvr_c.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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APT5010LVRG APT5010LVRG Microchip Technology apt5010lvr_c.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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APT5010LVRG 6295-apt5010lvr-datasheet
APT5010LVRG
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 47A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
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APT5010LVRG APL501J_D_Linear_MOSFET_Datasheet-3444314.pdf
APT5010LVRG
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET MOS5 500 V 10 Ohm TO-264
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APT5010LVR
Hersteller: APT
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IXFK48N50 IXYS-S-A0008598283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK48N50
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Transistoren > MOSFET N-CH
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APT5010LVRG 6295-apt5010lvr-datasheet
APT5010LVRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT5010LVRG 6295-apt5010lvr-datasheet
APT5010LVRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT5010LVRG
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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APT5010LVRG
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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