Suchergebnisse für "IRFP260" : 42
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFP260N Produktcode: 18423
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 Idd,A: 50 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254 JHGF: THT |
auf Bestellung 158 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 5 Stück: |
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IRFP260NPBF Produktcode: 47253
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 200 Idd,A: 50 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234 JHGF: THT |
auf Bestellung 64 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP260M | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP260M | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 1207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260N | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP260N | JSMicro Semiconductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP260N | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 5221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260NPBF | Infineon |
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auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 29A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 29A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP260PBF | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP260PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260NPBF; 50A; 200V; 300W; 0.04R; N-канальный, корпус: TO-247AC; IR |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRFP260 Produktcode: 18422
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 200 Idd,A: 46 Rds(on), Ohm: 0.055 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP260MPBF Produktcode: 113423
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IRFP260PBF Produktcode: 195436
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFP260 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260PBF | VISHAY |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260PBF | Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP260PBF | Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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AUIRFP2602 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11220 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFP260N Produktcode: 18423
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
JHGF: THT
auf Bestellung 158 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 5 Stück:
Anzahl | Preis |
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1+ | 1.40 EUR |
10+ | 1.20 EUR |
IRFP260NPBF Produktcode: 47253
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
JHGF: THT
auf Bestellung 64 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.96 EUR |
IRFP260M |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 4.83 EUR |
IRFP260M |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 4.83 EUR |
IRFP260MPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP260MPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 5.17 EUR |
25+ | 3.10 EUR |
100+ | 2.72 EUR |
500+ | 2.22 EUR |
1000+ | 2.06 EUR |
IRFP260MPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 6315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
77+ | 2.10 EUR |
81+ | 1.93 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.70 EUR |
1600+ | 1.60 EUR |
3200+ | 1.51 EUR |
IRFP260MPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
240+ | 2.52 EUR |
500+ | 2.33 EUR |
1000+ | 2.12 EUR |
IRFP260MPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP260MPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 3.89 EUR |
50+ | 3.61 EUR |
100+ | 3.36 EUR |
250+ | 3.13 EUR |
500+ | 2.92 EUR |
IRFP260N | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 5.56 EUR |
IRFP260N | ![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 4.84 EUR |
IRFP260N | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 5.56 EUR |
IRFP260NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.96 EUR |
17+ | 4.30 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
IRFP260NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.96 EUR |
17+ | 4.30 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
IRFP260NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 5221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 8.24 EUR |
25+ | 4.74 EUR |
100+ | 3.90 EUR |
500+ | 3.23 EUR |
1000+ | 3.12 EUR |
IRFP260NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 6.47 EUR |
50+ | 4.00 EUR |
100+ | 3.17 EUR |
400+ | 2.55 EUR |
IRFP260NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.45 EUR |
10+ | 7.68 EUR |
100+ | 6.91 EUR |
IRFP260NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP260NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
155+ | 3.91 EUR |
500+ | 3.60 EUR |
1000+ | 3.28 EUR |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.23 EUR |
23+ | 3.23 EUR |
24+ | 3.05 EUR |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.23 EUR |
23+ | 3.23 EUR |
24+ | 3.05 EUR |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 6.14 EUR |
25+ | 5.04 EUR |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 4.14 EUR |
42+ | 3.76 EUR |
46+ | 3.26 EUR |
100+ | 3.02 EUR |
500+ | 2.63 EUR |
1000+ | 2.49 EUR |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 4.14 EUR |
42+ | 3.76 EUR |
47+ | 3.25 EUR |
100+ | 3.01 EUR |
500+ | 2.63 EUR |
1000+ | 2.49 EUR |
IRFP260NPBF; 50A; 200V; 300W; 0.04R; N-канальный, корпус: TO-247AC; IR |
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP260 Produktcode: 18422
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200
Idd,A: 46
Rds(on), Ohm: 0.055
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200
Idd,A: 46
Rds(on), Ohm: 0.055
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.26 EUR |
IRFP260MPBF Produktcode: 113423
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP260PBF Produktcode: 195436
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Lieblingsprodukt
|
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![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP260 |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP260MPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFP260MPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP260PBF | ![]() |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRFP260PBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP260PBF | ![]() |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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AUIRFP2602 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 24V 180A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11220 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 24V 180A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11220 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
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