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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFR7540 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR7540-GURT IRFR7540TRL IRFR7540TR IRFR7540TR TIRFR7540 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 8577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 7830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 14727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 28180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF Produktcode: 118952
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IRFR7540 | Infineon Technologies |
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IRFR7540PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFR7540TRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFR7540TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFR7540TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFR7540 |
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR7540-GURT IRFR7540TRL IRFR7540TR IRFR7540TR TIRFR7540
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR7540-GURT IRFR7540TRL IRFR7540TR IRFR7540TR TIRFR7540
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 2.6 EUR |
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
auf Bestellung 8577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 0.9 EUR |
10+ | 0.89 EUR |
25+ | 0.88 EUR |
100+ | 0.85 EUR |
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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18+ | 0.99 EUR |
100+ | 0.95 EUR |
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2000+ | 0.82 EUR |
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2000+ | 0.77 EUR |
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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430+ | 1.25 EUR |
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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207+ | 0.69 EUR |
208+ | 0.67 EUR |
209+ | 0.64 EUR |
1000+ | 0.61 EUR |
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.77 EUR |
IRFR7540TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
430+ | 1.25 EUR |
500+ | 1.08 EUR |
1000+ | 0.96 EUR |
10000+ | 0.82 EUR |
IRFR7540TRPBF Produktcode: 118952
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR7540 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR7540PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFR7540TRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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