Suchergebnisse für "Mn3007" : 5

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MN3007 PANASONIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated DMN3007LSSQ_Web.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.62 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MN3007 MN3007
Produktcode: 24053
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Panasonic mn3007-datasheet.pdf IC > IC DAW, ADW, Digital Wandler
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: BBD 1024-STAGE LOW NOISE
№ 4: -20…60°C
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.64 EUR
10+2.26 EUR
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DMN3007LSS-13 DMN3007LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSSQ_Web.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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MN3007
Hersteller: PANASONIC
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DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ_Web.pdf
DMN3007LSSQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.62 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
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MN3007
Produktcode: 24053
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MN3007
Hersteller: Panasonic
IC > IC DAW, ADW, Digital Wandler
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: BBD 1024-STAGE LOW NOISE
№ 4: -20…60°C
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DMN3007LSS-13 DMN3007LSS.pdf
DMN3007LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ_Web.pdf
DMN3007LSSQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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