Suchergebnisse für "Mn3007" : 10
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MN3007 | PANASONI | DIP8 |
auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| MN3007 | PANASONIC |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
|
DMN3007LSSQ-13 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V |
auf Bestellung 2512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
MN3007 Produktcode: 24053
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Panasonic |
IC > IC DAW, ADW, Digital Wandler Gehäuse: DIP-8 Beschreibung: BBD 1024-STAGE LOW NOISE № 4: -20…60°C |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||||||||||||
|
|
DMN3007LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
DMN3007LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
DMN3007LSSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
DMN3007LSSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MN3007 |
Hersteller: PANASONI
DIP8
DIP8
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MN3007 |
Hersteller: PANASONIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3007LSSQ-13 |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 2512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.62 EUR |
| 10+ | 1.02 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.47 EUR |
| 2500+ | 0.38 EUR |
| 5000+ | 0.37 EUR |
| MN3007 Produktcode: 24053
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Panasonic
IC > IC DAW, ADW, Digital Wandler
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: BBD 1024-STAGE LOW NOISE
№ 4: -20…60°C
IC > IC DAW, ADW, Digital Wandler
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: BBD 1024-STAGE LOW NOISE
№ 4: -20…60°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.64 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| DMN3007LSS-13 |
|
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DMN3007LSS-13 |
|
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DMN3007LSSQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DMN3007LSSQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH