Suchergebnisse für "QFET" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
QFET-3000 |
auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
QFET-3000-TR1G |
auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
QFET-3002-TR1 |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
QFET-3003-TR1 |
auf Bestellung 3081 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
QFET-3006-TR1 |
auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
QFET-3006-TR1G |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
QFET-3006TR1G | Agilent | 0539+ |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
QFET-3006TR1G | Agilent |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
QFET-3008-TR1 | AGILENT | 2005 TO23-4 |
auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
FDB047N10 | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 8304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB2532 | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD2670 | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 3078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMC2523P | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQA140N10 | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 1741 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQA24N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQA36P15 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -25.5A Power dissipation: 294W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQA70N10 | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 1242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQA8N100C | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 11014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB12P20TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.27A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB12P20TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 16317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB19N20LTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 13.3A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 84A |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB19N20LTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 29134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB19N20TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 11848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB22P10TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15.6A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB22P10TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 28457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB27P06TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 6338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB34P10TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23.5A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB34P10TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 1223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FQB47P06TM-AM002 | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 55414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB4N80TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 1597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB55N10TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.9A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB55N10TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 8606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB5N90TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.42A Power dissipation: 158W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQB5N90TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 13579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD11P06TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.95A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD12N20LTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD12N20LTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 24589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD13N06LTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD13N06LTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 21594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD13N10LTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.3A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD13N10LTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 241323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD13N10TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 5047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD16N25CTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 26151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD17P06TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.6A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD17P06TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 11020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD18N20V2TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.75A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD18N20V2TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 26131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD19N10LTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.8A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD19N10LTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 31261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD1N80TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 2311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD2N90TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 15409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD30N06TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 10038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -1.33A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD3P50TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 38960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD5N60CTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 24655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD5P20TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.34A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD5P20TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 45144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD6N40CTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.7A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD6N40CTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 12688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
QFET-3000-TR1G |
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
QFET-3002-TR1 |
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
QFET-3003-TR1 |
auf Bestellung 3081 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
QFET-3006-TR1 |
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
QFET-3006-TR1G |
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
QFET-3006TR1G |
Hersteller: Agilent
0539+
0539+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
QFET-3006TR1G |
Hersteller: Agilent
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
QFET-3008-TR1 |
Hersteller: AGILENT
2005 TO23-4
2005 TO23-4
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDB047N10 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 8304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.49 EUR |
10+ | 4.26 EUR |
100+ | 3.52 EUR |
500+ | 3.2 EUR |
FDB2532 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.04 EUR |
10+ | 4.52 EUR |
100+ | 3.7 EUR |
500+ | 3.57 EUR |
FDD2670 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
auf Bestellung 3078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.52 EUR |
10+ | 2.45 EUR |
100+ | 1.81 EUR |
500+ | 1.44 EUR |
1000+ | 1.37 EUR |
2500+ | 1.34 EUR |
FDMC2523P |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150V P-Channel QFET
MOSFETs -150V P-Channel QFET
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.46 EUR |
10+ | 1.88 EUR |
100+ | 1.45 EUR |
500+ | 1.31 EUR |
1000+ | 1.28 EUR |
3000+ | 1.08 EUR |
6000+ | 1.06 EUR |
FQA140N10 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.19 EUR |
10+ | 7.44 EUR |
120+ | 6.39 EUR |
FQA24N60 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.17 EUR |
10+ | 7.38 EUR |
11+ | 6.91 EUR |
30+ | 6.69 EUR |
FQA36P15 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.29 EUR |
16+ | 4.75 EUR |
20+ | 3.73 EUR |
21+ | 3.53 EUR |
120+ | 3.52 EUR |
FQA70N10 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.96 EUR |
10+ | 2.41 EUR |
FQA8N100C |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
auf Bestellung 11014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.21 EUR |
10+ | 4.56 EUR |
120+ | 4.36 EUR |
1020+ | 4.19 EUR |
FQB12P20TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.77 EUR |
31+ | 2.36 EUR |
34+ | 2.12 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
100+ | 1.44 EUR |
FQB12P20TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 16317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.89 EUR |
10+ | 2.78 EUR |
100+ | 1.97 EUR |
500+ | 1.53 EUR |
800+ | 1.49 EUR |
FQB19N20LTM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.9 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
46+ | 1.59 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
FQB19N20LTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 29134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.66 EUR |
10+ | 2.15 EUR |
100+ | 1.52 EUR |
500+ | 1.12 EUR |
FQB19N20TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 11848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.52 EUR |
10+ | 3.04 EUR |
100+ | 2.09 EUR |
500+ | 1.65 EUR |
FQB22P10TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.6 EUR |
36+ | 2 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
500+ | 1.34 EUR |
FQB22P10TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 28457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.68 EUR |
10+ | 2.6 EUR |
100+ | 1.94 EUR |
500+ | 1.46 EUR |
FQB27P06TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 6338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.63 EUR |
10+ | 2.52 EUR |
100+ | 1.97 EUR |
500+ | 1.5 EUR |
FQB34P10TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.5 EUR |
25+ | 2.93 EUR |
30+ | 2.46 EUR |
31+ | 2.33 EUR |
100+ | 2.27 EUR |
FQB34P10TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.12 EUR |
10+ | 3.73 EUR |
100+ | 2.87 EUR |
500+ | 2.39 EUR |
FQB47P06TM-AM002 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.08 EUR |
24+ | 3 EUR |
26+ | 2.85 EUR |
50+ | 2.73 EUR |
FQB47P06TM-AM002 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 55414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.72 EUR |
10+ | 4.4 EUR |
100+ | 3.38 EUR |
500+ | 2.75 EUR |
FQB4N80TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
MOSFETs 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.41 EUR |
10+ | 2.52 EUR |
100+ | 1.97 EUR |
500+ | 1.68 EUR |
FQB55N10TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.49 EUR |
34+ | 2.16 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
50+ | 1.7 EUR |
FQB55N10TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 8606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.4 EUR |
10+ | 2.57 EUR |
100+ | 1.92 EUR |
500+ | 1.65 EUR |
800+ | 1.62 EUR |
2400+ | 1.61 EUR |
FQB5N90TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.57 EUR |
30+ | 2.39 EUR |
32+ | 2.26 EUR |
50+ | 2.19 EUR |
FQB5N90TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
MOSFETs 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 13579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.59 EUR |
10+ | 3.4 EUR |
100+ | 2.73 EUR |
500+ | 2.48 EUR |
FQD11P06TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.69 EUR |
55+ | 1.31 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
250+ | 0.71 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
FQD12N20LTM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.37 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
500+ | 0.47 EUR |
FQD12N20LTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 24589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.92 EUR |
10+ | 1.22 EUR |
100+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
1000+ | 0.6 EUR |
2500+ | 0.53 EUR |
5000+ | 0.52 EUR |
FQD13N06LTM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
67+ | 1.07 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
163+ | 0.44 EUR |
173+ | 0.41 EUR |
500+ | 0.4 EUR |
FQD13N06LTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
auf Bestellung 21594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.5 EUR |
10+ | 1 EUR |
100+ | 0.69 EUR |
500+ | 0.55 EUR |
1000+ | 0.5 EUR |
2500+ | 0.43 EUR |
FQD13N10LTM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 1.04 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
177+ | 0.4 EUR |
188+ | 0.38 EUR |
1000+ | 0.37 EUR |
FQD13N10LTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 241323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.44 EUR |
10+ | 1.03 EUR |
100+ | 0.7 EUR |
500+ | 0.56 EUR |
1000+ | 0.51 EUR |
2500+ | 0.43 EUR |
5000+ | 0.42 EUR |
FQD13N10TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 5047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 0.98 EUR |
10+ | 0.83 EUR |
100+ | 0.74 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
1000+ | 0.62 EUR |
2500+ | 0.54 EUR |
FQD16N25CTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH VOLTAGE
MOSFETs HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 26151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.99 EUR |
10+ | 1.44 EUR |
100+ | 1.12 EUR |
500+ | 0.92 EUR |
1000+ | 0.83 EUR |
2500+ | 0.75 EUR |
5000+ | 0.71 EUR |
FQD17P06TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
48+ | 1.5 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
59+ | 1.21 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
FQD17P06TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 11020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.15 EUR |
10+ | 1.47 EUR |
100+ | 1.02 EUR |
500+ | 0.83 EUR |
1000+ | 0.76 EUR |
2500+ | 0.69 EUR |
FQD18N20V2TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 1.66 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
250+ | 0.84 EUR |
FQD18N20V2TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
auf Bestellung 26131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.39 EUR |
10+ | 1.8 EUR |
100+ | 1.27 EUR |
500+ | 1.05 EUR |
1000+ | 0.96 EUR |
2500+ | 0.91 EUR |
FQD19N10LTM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
47+ | 1.53 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
500+ | 0.63 EUR |
FQD19N10LTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 31261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.15 EUR |
10+ | 1.46 EUR |
100+ | 1.05 EUR |
500+ | 0.83 EUR |
1000+ | 0.76 EUR |
2500+ | 0.69 EUR |
FQD1N80TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Power MOSFET
MOSFETs Power MOSFET
auf Bestellung 2311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.99 EUR |
10+ | 1.31 EUR |
100+ | 0.92 EUR |
500+ | 0.82 EUR |
1000+ | 0.75 EUR |
2500+ | 0.69 EUR |
5000+ | 0.68 EUR |
FQD2N90TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
MOSFETs 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 15409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.43 EUR |
10+ | 1.85 EUR |
100+ | 1.34 EUR |
500+ | 1.05 EUR |
1000+ | 0.96 EUR |
2500+ | 0.86 EUR |
FQD30N06TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
auf Bestellung 10038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.08 EUR |
10+ | 1.02 EUR |
100+ | 0.96 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
1000+ | 0.81 EUR |
2500+ | 0.7 EUR |
5000+ | 0.68 EUR |
FQD3P50TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 2.02 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
250+ | 0.89 EUR |
500+ | 0.87 EUR |
FQD3P50TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V P-Channel QFET
MOSFETs 500V P-Channel QFET
auf Bestellung 38960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.83 EUR |
10+ | 1.83 EUR |
100+ | 1.3 EUR |
500+ | 1.09 EUR |
1000+ | 1 EUR |
2500+ | 0.95 EUR |
FQD5N60CTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 24655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.01 EUR |
10+ | 1.46 EUR |
100+ | 1.1 EUR |
500+ | 0.92 EUR |
1000+ | 0.85 EUR |
2500+ | 0.77 EUR |
5000+ | 0.75 EUR |
FQD5P20TM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
250+ | 0.5 EUR |
FQD5P20TM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 45144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 0.97 EUR |
10+ | 0.96 EUR |
100+ | 0.75 EUR |
500+ | 0.65 EUR |
1000+ | 0.58 EUR |
2500+ | 0.53 EUR |
5000+ | 0.5 EUR |
FQD6N40CTM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.39 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
100+ | 0.83 EUR |
250+ | 0.82 EUR |
FQD6N40CTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 400V N-Channel Advance QFET
MOSFETs 400V N-Channel Advance QFET
auf Bestellung 12688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.83 EUR |
10+ | 1.4 EUR |
100+ | 1.09 EUR |
500+ | 1.05 EUR |
1000+ | 0.95 EUR |
2500+ | 0.91 EUR |
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]