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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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QFET-3000
auf Bestellung 488 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3000-TR1G
auf Bestellung 355 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3002-TR1
auf Bestellung 170 Stücke:
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QFET-3003-TR1
auf Bestellung 3081 Stücke:
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QFET-3006-TR1
auf Bestellung 844 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006-TR1G
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006TR1G Agilent 0539+
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006TR1G Agilent
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3008-TR1 AGILENT 2005 TO23-4
auf Bestellung 3050 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB047N10 FDB047N10 onsemi / Fairchild FDB047N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 7281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+3.52 EUR
100+3.29 EUR
800+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDB2532 onsemi / Fairchild 5C71B921DDFCC5CCD32ECB6539B1867C264D8E91B77B219B9C42194F9FEC2274.pdf MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+4.15 EUR
100+3.41 EUR
800+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2670 FDD2670 onsemi / Fairchild FDD2670-D.PDF MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+2.36 EUR
100+1.72 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC2523P FDMC2523P onsemi / Fairchild FDMC2523P-D.pdf MOSFETs -150V P-Channel QFET
auf Bestellung 13921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.71 EUR
100+1.35 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild FQA140N10-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 1332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.04 EUR
10+6.53 EUR
120+6.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.89 EUR
17+4.4 EUR
19+3.89 EUR
30+3.5 EUR
120+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.13 EUR
27+2.7 EUR
29+2.52 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 FQA70N10 onsemi / Fairchild FQA70N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.89 EUR
10+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100C FQA8N100C onsemi / Fairchild FQA8N100C-D.PDF MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
auf Bestellung 10916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+4.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.79 EUR
32+2.26 EUR
36+2 EUR
43+1.69 EUR
50+1.49 EUR
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.76 EUR
46+1.59 EUR
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
100+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi / Fairchild FQB19N20L-D.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 26373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+2.13 EUR
100+1.48 EUR
500+1.37 EUR
800+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi / Fairchild FQB19N20-D.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 11843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.92 EUR
100+2.01 EUR
500+1.97 EUR
800+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.42 EUR
39+1.84 EUR
45+1.62 EUR
50+1.44 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi / Fairchild FQB22P10-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 21108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.68 EUR
100+1.85 EUR
800+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi / Fairchild FQB27P06-D.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 5839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.22 EUR
100+1.88 EUR
500+1.85 EUR
800+1.35 EUR
2400+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi / Fairchild FQB34P10-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 2781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.79 EUR
10+3.26 EUR
100+2.66 EUR
500+2.62 EUR
800+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.78 EUR
25+2.92 EUR
26+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi / Fairchild FQB47P06-D.PDF MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 53907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.42 EUR
10+4.17 EUR
100+3.1 EUR
500+2.96 EUR
800+2.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+2.09 EUR
100+1.74 EUR
500+1.66 EUR
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.3 EUR
36+2 EUR
39+1.84 EUR
43+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi / Fairchild FQB55N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+2.11 EUR
100+1.81 EUR
500+1.76 EUR
800+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.37 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi / Fairchild FQB5N90-D.PDF MOSFETs 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 13495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.43 EUR
10+3.24 EUR
100+2.6 EUR
500+2.48 EUR
800+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.56 EUR
60+1.21 EUR
67+1.08 EUR
87+0.83 EUR
100+0.75 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi / Fairchild 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
auf Bestellung 31961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.26 EUR
71+1.02 EUR
81+0.89 EUR
98+0.74 EUR
113+0.64 EUR
129+0.56 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi / Fairchild FQD12N20L-D.PDF MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 22199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.21 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM onsemi / Fairchild 859D1F19AD2F6E71990FD2B53C08470C7E75484BF43A699D839C0B00197FE58A.pdf MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
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FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD13N10TM FQD13N10TM onsemi / Fairchild FQD13N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
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FQD16N25CTM FQD16N25CTM onsemi / Fairchild FQD16N25C-D.pdf MOSFETs HIGH VOLTAGE
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FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi / Fairchild 62189C4DA3F8678DE34524F2F3D7E42E1A79E2180E7AB763E8E29F40BB62DFC3.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
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FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM onsemi / Fairchild FQD18N20V2-D.PDF MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi / Fairchild FQD19N10L-D.PDF MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
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FQD1N80TM FQD1N80TM onsemi / Fairchild FQU1N80-D.pdf MOSFETs Power MOSFET
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FQD2N100TM FQD2N100TM onsemi / Fairchild FQU2N100-D.PDF MOSFETs 1000V N-Channel QFET
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FQD2N90TM FQD2N90TM onsemi / Fairchild 5D6130126B3F9075D14D0546F162133D73342CA16BF29873FBAB8003452805AB.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
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FQD30N06TM FQD30N06TM onsemi / Fairchild FQD30N06-D.pdf MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
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FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD3P50TM FQD3P50TM onsemi / Fairchild 3813F8831C508E547A336DB99BEDED9F4D7E0DA2D2895DFB0CF1299786849D09.pdf MOSFETs 500V P-Channel QFET
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FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi / Fairchild EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 46976 Stücke:
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500+0.81 EUR
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FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQD5P20TM FQD5P20TM onsemi / Fairchild FQU5P20-D.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3000
auf Bestellung 488 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3000-TR1G
auf Bestellung 355 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3002-TR1
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QFET-3003-TR1
auf Bestellung 3081 Stücke:
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QFET-3006-TR1
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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QFET-3006-TR1G
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QFET-3006TR1G
Hersteller: Agilent
0539+
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QFET-3006TR1G
Hersteller: Agilent
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QFET-3008-TR1
Hersteller: AGILENT
2005 TO23-4
auf Bestellung 3050 Stücke:
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FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
FDB047N10
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.14 EUR
10+3.52 EUR
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FDB2532 5C71B921DDFCC5CCD32ECB6539B1867C264D8E91B77B219B9C42194F9FEC2274.pdf
FDB2532
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
auf Bestellung 1969 Stücke:
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Anzahl Preis
1+5.24 EUR
10+4.15 EUR
100+3.41 EUR
800+3.12 EUR
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FDD2670 FDD2670-D.PDF
FDD2670
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
auf Bestellung 3068 Stücke:
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Anzahl Preis
1+3.4 EUR
10+2.36 EUR
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FDMC2523P FDMC2523P-D.pdf
FDMC2523P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150V P-Channel QFET
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FQA140N10 FQA140N10-D.PDF
FQA140N10
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
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FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
auf Bestellung 21 Stücke:
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Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
17+4.4 EUR
19+3.89 EUR
30+3.5 EUR
120+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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FQA70N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e
FQA70N10
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
27+2.7 EUR
29+2.52 EUR
30+2.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA70N10 FQA70N10-D.pdf
FQA70N10
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA8N100C FQA8N100C-D.PDF
FQA8N100C
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 422 Stücke:
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26+2.79 EUR
32+2.26 EUR
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43+1.69 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
auf Bestellung 670 Stücke:
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41+1.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FQB19N20LTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FQB19N20TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FQB22P10TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
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FQB27P06TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 448 Stücke:
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Anzahl Preis
22+3.36 EUR
33+2.23 EUR
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FQB34P10TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 735 Stücke:
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Anzahl Preis
19+3.78 EUR
25+2.92 EUR
26+2.76 EUR
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FQB47P06TM-AM002 FQB47P06-D.PDF
FQB47P06TM-AM002
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80TM 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf
FQB4N80TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 1249 Stücke:
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10+2.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
36+2 EUR
39+1.84 EUR
43+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 4446 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.6 EUR
10+2.11 EUR
100+1.81 EUR
500+1.76 EUR
800+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N90TM FQB5N90-D.PDF
FQB5N90TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 13495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.43 EUR
10+3.24 EUR
100+2.6 EUR
500+2.48 EUR
800+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
60+1.21 EUR
67+1.08 EUR
87+0.83 EUR
100+0.75 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD11P06TM 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf
FQD11P06TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
auf Bestellung 31961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
71+1.02 EUR
81+0.89 EUR
98+0.74 EUR
113+0.64 EUR
129+0.56 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD12N20LTM FQD12N20L-D.PDF
FQD12N20LTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 22199 Stücke:
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Anzahl Preis
2+1.88 EUR
10+1.21 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252
FQD13N06LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
104+0.69 EUR
121+0.59 EUR
150+0.48 EUR
250+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N06LTM 859D1F19AD2F6E71990FD2B53C08470C7E75484BF43A699D839C0B00197FE58A.pdf
FQD13N06LTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
auf Bestellung 13435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.11 EUR
10+0.79 EUR
100+0.59 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd
FQD13N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
92+0.78 EUR
103+0.7 EUR
136+0.53 EUR
152+0.47 EUR
250+0.41 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10LTM 0F795723B28BB5593F2D66C72FECF4A92D84D6D179DB77A849F45B7372106FE8.pdf
FQD13N10LTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 236673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.35 EUR
10+0.96 EUR
100+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD13N10TM FQD13N10-D.pdf
FQD13N10TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 4292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.79 EUR
100+0.7 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD16N25CTM FQD16N25C-D.pdf
FQD16N25CTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 16719 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.02 EUR
10+1.44 EUR
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500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf
FQD17P06TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
64+1.13 EUR
84+0.86 EUR
100+0.76 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD17P06TM 62189C4DA3F8678DE34524F2F3D7E42E1A79E2180E7AB763E8E29F40BB62DFC3.pdf
FQD17P06TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 10739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.22 EUR
10+1.47 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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FQD18N20V2TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 480 Stücke:
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Anzahl Preis
47+1.53 EUR
61+1.17 EUR
100+0.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD18N20V2TM FQD18N20V2-D.PDF
FQD18N20V2TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
auf Bestellung 25370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.76 EUR
100+1.21 EUR
500+0.92 EUR
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2500+0.8 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD19N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d
FQD19N10LTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
63+1.15 EUR
70+1.03 EUR
92+0.78 EUR
103+0.7 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 31016 Stücke:
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2+2.11 EUR
10+1.38 EUR
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500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FQD1N80TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Power MOSFET
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2+1.92 EUR
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1000+0.72 EUR
2500+0.66 EUR
5000+0.65 EUR
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FQD2N100TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channel QFET
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1+3.41 EUR
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500+1.41 EUR
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FQD2N90TM 5D6130126B3F9075D14D0546F162133D73342CA16BF29873FBAB8003452805AB.pdf
FQD2N90TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
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2+2.32 EUR
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1000+0.91 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FQD30N06TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
auf Bestellung 8671 Stücke:
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Anzahl Preis
3+0.98 EUR
10+0.94 EUR
100+0.93 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.66 EUR
5000+0.65 EUR
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FQD3P50TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5
FQD3P50TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 760 Stücke:
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Anzahl Preis
43+1.67 EUR
61+1.19 EUR
68+1.06 EUR
74+0.97 EUR
100+0.89 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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FQD3P50TM 3813F8831C508E547A336DB99BEDED9F4D7E0DA2D2895DFB0CF1299786849D09.pdf
FQD3P50TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V P-Channel QFET
auf Bestellung 31566 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.31 EUR
10+1.62 EUR
100+1.22 EUR
500+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5N60CTM EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf
FQD5N60CTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 46976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.2 EUR
10+1.08 EUR
100+0.92 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.73 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FQD5P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140
FQD5P20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
124+0.58 EUR
139+0.51 EUR
250+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQD5P20TM FQU5P20-D.pdf
FQD5P20TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 35361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.8 EUR
10+0.77 EUR
100+0.65 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
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