Suchergebnisse für "SPD06N80C3" : 16
Art der Ansicht :
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 30004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
SPD06N80C3 Produktcode: 37323
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3 | Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
SPD06N80C3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3BTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
SPD06N80C3XT | Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
SPD06N80C3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 9.89 EUR |
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 30004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.57 EUR |
10+ | 2.29 EUR |
100+ | 1.78 EUR |
250+ | 1.76 EUR |
500+ | 1.46 EUR |
1000+ | 1.35 EUR |
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 1.38 EUR |
10000+ | 1.31 EUR |
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 1.73 EUR |
100+ | 1.63 EUR |
500+ | 1.57 EUR |
1000+ | 1.50 EUR |
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 1.37 EUR |
10000+ | 1.30 EUR |
SPD06N80C3 Produktcode: 37323
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPD06N80C3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 6A DPAK-2 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 6A DPAK-2 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPD06N80C3BTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 6A DPAK-2 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 6A DPAK-2 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPD06N80C3XT |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 6A DPAK-2 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 6A DPAK-2 CoolMOS C3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SPD06N80C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH