Suchergebnisse für "VND14NV04-E" : 4
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Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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VND14NV04-E | STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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VND14NV04TR-E | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 14158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VND14NV04-E Produktcode: 28658
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VND14NV04-E | STMicroelectronics |
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VND14NV04-E |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 24 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 24 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VND14NV04TR-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Gate Drivers N-Ch 40V 12A OmniFET
Gate Drivers N-Ch 40V 12A OmniFET
auf Bestellung 14158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 5.37 EUR |
10+ | 3.52 EUR |
100+ | 2.46 EUR |
500+ | 1.99 EUR |
1000+ | 1.85 EUR |
2500+ | 1.78 EUR |
VND14NV04-E Produktcode: 28658
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VND14NV04-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Gate Drivers N-Ch 40V 12A OmniFET
Gate Drivers N-Ch 40V 12A OmniFET
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