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TPC8107 TPC8107 UMW 37658002129f8079c45f644b34ca9911.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPC8107(TE12L) TOSHIBA 2003
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TPC8107-TE12L
auf Bestellung 5702 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TPC8107/TPC8107A TOSHIBA 09+ QFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
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TPC8107A
auf Bestellung 13000 Stücke:
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TPC8107 TPC8107 UMW 37658002129f8079c45f644b34ca9911.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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TPC8107 37658002129f8079c45f644b34ca9911.pdf
TPC8107
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 2910 Stücke:
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Anzahl Preis
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
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1000+0.43 EUR
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TPC8107(TE12L)
Hersteller: TOSHIBA
2003
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TPC8107-TE12L
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TPC8107/TPC8107A
Hersteller: TOSHIBA
09+ QFN
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TPC8107A
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TPC8107 37658002129f8079c45f644b34ca9911.pdf
TPC8107
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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