Produkte > TEXAS INSTRUMENTS > Alle Produkte des Herstellers TEXAS INSTRUMENTS (622914) > Seite 4971 nach 10382
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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CSD19505KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD19505KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD19506KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Power dissipation: 375W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19506KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD19506KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD19531KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Technology: NexFET™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19532KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19532KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19532Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD19533KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 27nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19534KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 661 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19534Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 574 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD19535KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19535KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD19535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19536KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 118nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19536KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD19536KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 118nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19537Q3T | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 83W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19538Q2T | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19538Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD22204WT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD22205LT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD22206WT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD23202W10T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD23203WT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD23280F3T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD23285F5T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD23381F4T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD23382F4T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25202W15T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25304W1015T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25310Q2 | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25310Q2T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25402Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25404Q3T | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A Power dissipation: 96W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD25480F3T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25481F4T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25483F4T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25484F4T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25485F5T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD25501F3T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD75208W1015T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD85301Q2T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD85302LT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD87335Q3DT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD87502Q2T | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD88537NDT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD88539NDT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 758 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DAC0800LCM/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: D/A converter; 8bit; SO16; 4.5÷18VDC Type of integrated circuit: D/A converter Case: SO16 Mounting: SMD Converter resolution: 8bit Operating voltage: 4.5...18V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DAC0800LCN/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; PDIP16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC Type of integrated circuit: D/A converter Case: PDIP16 Mounting: THT Operating temperature: 0...70°C Supply voltage: 4.5...18V DC Integrated circuit features: multiplying Relative accuracy: 1LSB Interface: parallel Converter resolution: 8bit Sampling speed: 6.6Msps Number of channels: 1 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
DAC0802LCMX/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC Type of integrated circuit: D/A converter Converter resolution: 8bit Case: SOIC16 Mounting: SMD Sampling speed: 6.6Msps Number of channels: 1 Integrated circuit features: multiplying Relative accuracy: 1LSB Operating temperature: 0...70°C Supply voltage: 4.5...18V DC Interface: parallel Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DAC0808LCM/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() ![]() Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; SOP16; 4.5÷18VDC Type of integrated circuit: D/A converter Case: SOP16 Number of channels: 1 Mounting: SMD Converter resolution: 8bit Relative accuracy: 0.5LSB Operating voltage: 4.5...18V DC Interface: parallel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DAC0808LCMX/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC Type of integrated circuit: D/A converter Converter resolution: 8bit Case: SOIC16 Mounting: SMD Sampling speed: 6.6Msps Number of channels: 1 Integrated circuit features: multiplying Relative accuracy: 1LSB Operating temperature: 0...70°C Supply voltage: 4.5...18V DC Interface: parallel Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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DAC0808LCN/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; DIP16; 4.5÷18VDC Case: DIP16 Mounting: THT Number of channels: 1 Operating voltage: 4.5...18V DC Type of integrated circuit: D/A converter Interface: parallel Converter resolution: 8bit Relative accuracy: 0.5LSB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DAC081C081CIMK/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C Type of integrated circuit: D/A converter Converter resolution: 8bit Sampling speed: 180ksps Number of channels: 1 Case: SOT23-THN-6 Mounting: SMD Interface: I2C Integrated circuit features: rail-to-rail Max INL: ±0.6LSB Max DNL: ±0.1LSB Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 2.7...5.5V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DAC081C081CIMKX/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C Type of integrated circuit: D/A converter Converter resolution: 8bit Case: SOT23-THN-6 Mounting: SMD Sampling speed: 180ksps Number of channels: 1 Integrated circuit features: rail-to-rail Max INL: ±0.6LSB Max DNL: ±0.1LSB Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 2.7...5.5V DC Interface: I2C Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
CSD19505KTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19505KTTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19506KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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11+ | 6.79 EUR |
12+ | 6.29 EUR |
15+ | 4.76 EUR |
50+ | 4.52 EUR |
CSD19506KTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19506KTTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
CSD19531KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19531KCS THT N channel transistors
CSD19531KCS THT N channel transistors
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.43 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
CSD19531Q5AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Technology: NexFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Technology: NexFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.52 EUR |
32+ | 2.30 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
250+ | 1.64 EUR |
CSD19532KTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 2.99 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
35+ | 2.10 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
250+ | 1.93 EUR |
CSD19532KTTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.20 EUR |
25+ | 2.95 EUR |
31+ | 2.33 EUR |
33+ | 2.20 EUR |
50+ | 2.12 EUR |
CSD19532Q5BT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19533KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.40 EUR |
34+ | 2.12 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
48+ | 1.50 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
100+ | 1.36 EUR |
CSD19533Q5AT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19533Q5AT SMD N channel transistors
CSD19533Q5AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.29 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
55+ | 1.30 EUR |
250+ | 1.26 EUR |
CSD19534KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19534KCS THT N channel transistors
CSD19534KCS THT N channel transistors
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.90 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
CSD19534Q5A |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.37 EUR |
76+ | 0.95 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
145+ | 0.49 EUR |
CSD19534Q5AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19535KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19535KCS THT N channel transistors
CSD19535KCS THT N channel transistors
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.65 EUR |
24+ | 3.05 EUR |
25+ | 2.87 EUR |
CSD19535KTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19535KTT SMD N channel transistors
CSD19535KTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19535KTTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19535KTTT SMD N channel transistors
CSD19535KTTT SMD N channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.11 EUR |
50+ | 3.55 EUR |
CSD19536KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 118nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 118nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14+ | 5.32 EUR |
18+ | 4.03 EUR |
19+ | 3.82 EUR |
100+ | 3.69 EUR |
CSD19536KTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19536KTTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 118nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 118nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.58 EUR |
14+ | 5.19 EUR |
100+ | 4.99 EUR |
CSD19537Q3T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.76 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
250+ | 1.00 EUR |
CSD19538Q2T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19538Q2T SMD N channel transistors
CSD19538Q2T SMD N channel transistors
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.80 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
250+ | 0.94 EUR |
CSD19538Q3AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19538Q3AT SMD N channel transistors
CSD19538Q3AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.31 EUR |
89+ | 0.81 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
250+ | 0.75 EUR |
CSD22204WT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD22204WT SMD P channel transistors
CSD22204WT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD22205LT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD22205LT SMD P channel transistors
CSD22205LT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD22206WT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD22206WT SMD P channel transistors
CSD22206WT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD23202W10T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23202W10T SMD P channel transistors
CSD23202W10T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD23203WT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23203WT SMD P channel transistors
CSD23203WT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD23280F3T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23280F3T SMD P channel transistors
CSD23280F3T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD23285F5T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23285F5T SMD P channel transistors
CSD23285F5T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD23381F4T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23381F4T SMD P channel transistors
CSD23381F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD23382F4T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23382F4T SMD P channel transistors
CSD23382F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD25202W15T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25202W15T SMD P channel transistors
CSD25202W15T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD25304W1015T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25304W1015T SMD P channel transistors
CSD25304W1015T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD25310Q2 |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25310Q2 SMD P channel transistors
CSD25310Q2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD25310Q2T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25310Q2T SMD P channel transistors
CSD25310Q2T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD25402Q3AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25402Q3AT SMD P channel transistors
CSD25402Q3AT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD25404Q3T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
Power dissipation: 96W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
Power dissipation: 96W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 1.63 EUR |
55+ | 1.30 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
CSD25480F3T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25480F3T SMD P channel transistors
CSD25480F3T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD25481F4T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25481F4T SMD P channel transistors
CSD25481F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD25483F4T |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25483F4T SMD P channel transistors
CSD25483F4T SMD P channel transistors
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CSD25484F4T |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25484F4T SMD P channel transistors
CSD25484F4T SMD P channel transistors
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CSD25485F5T |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25485F5T SMD P channel transistors
CSD25485F5T SMD P channel transistors
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CSD25501F3T |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25501F3T SMD P channel transistors
CSD25501F3T SMD P channel transistors
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CSD75208W1015T |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD75208W1015T Multi channel transistors
CSD75208W1015T Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
CSD85301Q2T |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD85301Q2T Multi channel transistors
CSD85301Q2T Multi channel transistors
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CSD85302LT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD85302LT Multi channel transistors
CSD85302LT Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
CSD87335Q3DT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD87335Q3DT Multi channel transistors
CSD87335Q3DT Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
CSD87502Q2T |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD87502Q2T SMD N channel transistors
CSD87502Q2T SMD N channel transistors
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
CSD88537NDT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD88537NDT Multi channel transistors
CSD88537NDT Multi channel transistors
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 2.00 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
CSD88539NDT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD88539NDT Multi channel transistors
CSD88539NDT Multi channel transistors
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
62+ | 1.16 EUR |
100+ | 0.81 EUR |
102+ | 0.70 EUR |
108+ | 0.67 EUR |
DAC0800LCM/NOPB |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; SO16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: SO16
Mounting: SMD
Converter resolution: 8bit
Operating voltage: 4.5...18V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; SO16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: SO16
Mounting: SMD
Converter resolution: 8bit
Operating voltage: 4.5...18V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.60 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
30+ | 2.42 EUR |
31+ | 2.37 EUR |
48+ | 2.33 EUR |
DAC0800LCN/NOPB |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; PDIP16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: PDIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
Interface: parallel
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; PDIP16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: PDIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
Interface: parallel
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DAC0802LCMX/NOPB |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Interface: parallel
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Interface: parallel
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DAC0808LCM/NOPB | ![]() |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; SOP16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: SOP16
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Converter resolution: 8bit
Relative accuracy: 0.5LSB
Operating voltage: 4.5...18V DC
Interface: parallel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; SOP16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: SOP16
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Converter resolution: 8bit
Relative accuracy: 0.5LSB
Operating voltage: 4.5...18V DC
Interface: parallel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.90 EUR |
21+ | 3.46 EUR |
28+ | 2.56 EUR |
30+ | 2.42 EUR |
DAC0808LCMX/NOPB |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Interface: parallel
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Interface: parallel
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DAC0808LCN/NOPB |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; DIP16; 4.5÷18VDC
Case: DIP16
Mounting: THT
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: D/A converter
Interface: parallel
Converter resolution: 8bit
Relative accuracy: 0.5LSB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; DIP16; 4.5÷18VDC
Case: DIP16
Mounting: THT
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: D/A converter
Interface: parallel
Converter resolution: 8bit
Relative accuracy: 0.5LSB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.66 EUR |
21+ | 3.46 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
28+ | 2.60 EUR |
100+ | 2.50 EUR |
DAC081C081CIMK/NOPB |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: I2C
Integrated circuit features: rail-to-rail
Max INL: ±0.6LSB
Max DNL: ±0.1LSB
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: I2C
Integrated circuit features: rail-to-rail
Max INL: ±0.6LSB
Max DNL: ±0.1LSB
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.04 EUR |
48+ | 1.50 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
5000+ | 1.00 EUR |
DAC081C081CIMKX/NOPB |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Integrated circuit features: rail-to-rail
Max INL: ±0.6LSB
Max DNL: ±0.1LSB
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Interface: I2C
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Integrated circuit features: rail-to-rail
Max INL: ±0.6LSB
Max DNL: ±0.1LSB
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Interface: I2C
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH