Produkte > TEXAS INSTRUMENTS > Alle Produkte des Herstellers TEXAS INSTRUMENTS (630167) > Seite 4996 nach 10503
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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CSD17585F5T | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.9A; Idm: 34A; 1.4W; PICOSTAR3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.4W Case: PICOSTAR3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 34A Drain current: 5.9A On-state resistance: 33mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD18502KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 259W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18502Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18503Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 120W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Technology: NexFET™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 552 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18504KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 115W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18504Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18509Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Case: VSON-CLIP8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm Gate charge: 15nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD18510KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18510KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18510KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 200A On-state resistance: 2.6mΩ Gate charge: 119nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18510Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18511KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18511KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18511KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18511Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18512Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18514Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 2004 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18532KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18532NQ5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18532Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18533KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 116W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18534KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 164A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD18534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 77W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm Gate charge: 17nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: VSONP8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 936 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18535KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18535KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18536KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3 Case: TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 1.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 83nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18536KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD18536KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 108nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18537NKCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18537NQ5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18540Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD18541F5T | TEXAS INSTRUMENTS |
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CSD18542KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 44nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: NexFET™ Mounting: THT Case: TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18542KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD18542KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1825 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18563Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19501KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19502Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
CSD19503KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19505KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19505KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
CSD19505KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
CSD19506KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19506KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
CSD19506KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
CSD19531KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19532KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19532KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19532Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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CSD19533KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
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auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19534KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 118W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19534Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1028 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD19534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
CSD17585F5T |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.9A; Idm: 34A; 1.4W; PICOSTAR3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 33mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.9A; Idm: 34A; 1.4W; PICOSTAR3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Drain current: 5.9A
On-state resistance: 33mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD18502KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 259W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 259W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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27+ | 2.7 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
50+ | 1.84 EUR |
CSD18502Q5BT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18502Q5BT SMD N channel transistors
CSD18502Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD18503Q5AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Technology: NexFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Technology: NexFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.66 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
1250+ | 0.94 EUR |
CSD18504KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
CSD18504Q5AT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18504Q5AT SMD N channel transistors
CSD18504Q5AT SMD N channel transistors
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CSD18509Q5BT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 15nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 15nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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CSD18510KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18510KCS THT N channel transistors
CSD18510KCS THT N channel transistors
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CSD18510KTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18510KTT SMD N channel transistors
CSD18510KTT SMD N channel transistors
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CSD18510KTTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 119nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 119nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.22 EUR |
29+ | 2.53 EUR |
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50+ | 2.39 EUR |
100+ | 2.3 EUR |
CSD18510Q5BT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18510Q5BT SMD N channel transistors
CSD18510Q5BT SMD N channel transistors
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CSD18511KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511KCS THT N channel transistors
CSD18511KCS THT N channel transistors
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CSD18511KTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511KTT SMD N channel transistors
CSD18511KTT SMD N channel transistors
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CSD18511KTTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511KTTT SMD N channel transistors
CSD18511KTTT SMD N channel transistors
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CSD18511Q5AT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511Q5AT SMD N channel transistors
CSD18511Q5AT SMD N channel transistors
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CSD18512Q5BT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18512Q5BT SMD N channel transistors
CSD18512Q5BT SMD N channel transistors
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CSD18514Q5AT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18514Q5AT SMD N channel transistors
CSD18514Q5AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
31+ | 2.36 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
CSD18531Q5A |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18531Q5A SMD N channel transistors
CSD18531Q5A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.16 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
CSD18531Q5AT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18531Q5AT SMD N channel transistors
CSD18531Q5AT SMD N channel transistors
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CSD18532KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18532KCS THT N channel transistors
CSD18532KCS THT N channel transistors
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.65 EUR |
42+ | 1.73 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
CSD18532NQ5BT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18532NQ5BT SMD N channel transistors
CSD18532NQ5BT SMD N channel transistors
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CSD18532Q5BT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18532Q5BT SMD N channel transistors
CSD18532Q5BT SMD N channel transistors
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CSD18533KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18533KCS THT N channel transistors
CSD18533KCS THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
CSD18533Q5AT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.09 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
100+ | 1.2 EUR |
CSD18534KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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CSD18534Q5AT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 77W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 17nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 77W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 17nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.3 EUR |
37+ | 1.97 EUR |
45+ | 1.62 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
100+ | 1.47 EUR |
CSD18535KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.83 EUR |
30+ | 2.46 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
50+ | 2.3 EUR |
100+ | 2.23 EUR |
CSD18535KTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18535KTT SMD N channel transistors
CSD18535KTT SMD N channel transistors
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CSD18535KTTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18535KTTT SMD N channel transistors
CSD18535KTTT SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD18536KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 83nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 83nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 5.06 EUR |
16+ | 4.75 EUR |
21+ | 3.49 EUR |
22+ | 3.29 EUR |
50+ | 3.16 EUR |
CSD18536KTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD18536KTTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.99 EUR |
17+ | 4.32 EUR |
18+ | 4.08 EUR |
50+ | 3.92 EUR |
CSD18537NKCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18537NKCS THT N channel transistors
CSD18537NKCS THT N channel transistors
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.76 EUR |
72+ | 1 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
CSD18537NQ5AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18537NQ5AT SMD N channel transistors
CSD18537NQ5AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.16 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
250+ | 1.2 EUR |
CSD18540Q5BT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD18541F5T |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18541F5T SMD N channel transistors
CSD18541F5T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD18542KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.15 EUR |
37+ | 1.94 EUR |
39+ | 1.84 EUR |
100+ | 1.77 EUR |
CSD18542KTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD18542KTTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.17 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
50+ | 1.64 EUR |
CSD18543Q3AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18543Q3AT SMD N channel transistors
CSD18543Q3AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.84 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
250+ | 1.1 EUR |
CSD18563Q5AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18563Q5AT SMD N channel transistors
CSD18563Q5AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.04 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
CSD19501KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.63 EUR |
35+ | 2.1 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
500+ | 1.37 EUR |
CSD19502Q5BT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19502Q5BT SMD N channel transistors
CSD19502Q5BT SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
CSD19503KCS |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19503KCS THT N channel transistors
CSD19503KCS THT N channel transistors
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
CSD19505KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.32 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
250+ | 1.79 EUR |
CSD19505KTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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CSD19505KTTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19506KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19506KCS THT N channel transistors
CSD19506KCS THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.45 EUR |
15+ | 4.79 EUR |
50+ | 4.69 EUR |
CSD19506KTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19506KTT SMD N channel transistors
CSD19506KTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
CSD19506KTTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19506KTTT SMD N channel transistors
CSD19506KTTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19531KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19531KCS THT N channel transistors
CSD19531KCS THT N channel transistors
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.43 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
CSD19531Q5AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19531Q5AT SMD N channel transistors
CSD19531Q5AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.65 EUR |
40+ | 1.8 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
250+ | 1.64 EUR |
CSD19532KTT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.15 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
36+ | 2.03 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
CSD19532KTTT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.12 EUR |
CSD19532Q5BT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
CSD19533KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
48+ | 1.5 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
CSD19533Q5AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19533Q5AT SMD N channel transistors
CSD19533Q5AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.29 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
250+ | 1.26 EUR |
CSD19534KCS |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.77 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
72+ | 1 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
100+ | 0.92 EUR |
CSD19534Q5A |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
83+ | 0.87 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
CSD19534Q5AT |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH