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2N6845 2N6845 TT ELECTRONICS / SEMELAB 2158886.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - 2N6845 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.6 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 20
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
ALF16N16W ALF16N16W TT ELECTRONICS / SEMELAB Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - ALF16N16W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 16 A, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BD647 BD647 TT ELECTRONICS / SEMELAB 90786.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD647 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
Verlustleistung Pd: 62.5
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BD649 BD649 TT ELECTRONICS / SEMELAB 2853.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
MSL: -
Verlustleistung Pd: 62.5
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BD650 BD650 TT ELECTRONICS / SEMELAB 355541.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD650 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2700
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: -
Verlustleistung: 62.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BD956 BD956 TT ELECTRONICS / SEMELAB 355553.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD956 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 120 V, 2 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: -
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BDT65A BDT65A TT ELECTRONICS / SEMELAB 355545.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BDT65A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 12 A, 125 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BUZ900 BUZ900 TT ELECTRONICS / SEMELAB 35730.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BUZ901D BUZ901D TT ELECTRONICS / SEMELAB 122728.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ901D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.75 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BUZ905P BUZ905P TT ELECTRONICS / SEMELAB 122728.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ905P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BZY93-C8V2 BZY93-C8V2 TT ELECTRONICS / SEMELAB 49120.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BZY93-C8V2 - Zener-Diode, Baureihe BZY93C, 8.2 V, 20 W, DO-4, 2 Pin(s), 175 °C
Zener-Spannung, nom.: 8.2
Verlustleistung: 20
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: BZY93C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
VN10K VN10K TT ELECTRONICS / SEMELAB 866221.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - VN10K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
2N6845 2158886.pdf
2N6845
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - 2N6845 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.6 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 20
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
ALF16N16W
ALF16N16W
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - ALF16N16W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 16 A, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BD647 90786.pdf
BD647
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD647 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
Verlustleistung Pd: 62.5
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BD649 2853.pdf
BD649
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
MSL: -
Verlustleistung Pd: 62.5
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BD650 355541.pdf
BD650
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD650 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2700
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: -
Verlustleistung: 62.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BD956 355553.pdf
BD956
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD956 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 120 V, 2 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: -
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BDT65A 355545.pdf
BDT65A
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BDT65A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 12 A, 125 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BUZ900 35730.pdf
BUZ900
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BUZ901D 122728.pdf
BUZ901D
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ901D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.75 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BUZ905P 122728.pdf
BUZ905P
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ905P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
BZY93-C8V2 49120.pdf
BZY93-C8V2
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BZY93-C8V2 - Zener-Diode, Baureihe BZY93C, 8.2 V, 20 W, DO-4, 2 Pin(s), 175 °C
Zener-Spannung, nom.: 8.2
Verlustleistung: 20
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: BZY93C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
VN10K 866221.pdf
VN10K
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - VN10K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar