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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
C2M0025120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+162.06 EUR
30+ 141.15 EUR
120+ 133.83 EUR
C2M0025120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 45ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0025120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0025120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 45ns
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0025120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+160.93 EUR
10+ 146.92 EUR
30+ 140.18 EUR
60+ 137.07 EUR
120+ 133.67 EUR
C2M0025120D
Produktcode: 117277		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0025120D-AWolfspeedC2M0025120D-A
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0025120KWolfspeedC2M0025120K
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+69.93 EUR
10+ 62.73 EUR
25+ 58.61 EUR
50+ 55.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+63.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 54ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+51.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C2M0040120DWolfspeedMOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.73 EUR
10+ 78.46 EUR
30+ 72.11 EUR
60+ 71 EUR
120+ 67.58 EUR
270+ 67 EUR
510+ 66.97 EUR
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+60.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C2M0040120D
Produktcode: 173103		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+60.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+63.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C2M0040120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.18 EUR
30+ 73.09 EUR
120+ 68.05 EUR
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+55.76 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+56.7 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+69.93 EUR
10+ 62.73 EUR
25+ 58.61 EUR
50+ 55.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 54ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+51.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C2M0045170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0045170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 188nC
Technology: C2M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0045170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0045170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 188nC
Technology: C2M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 70ns
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0045170DWolfspeedMOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+195.85 EUR
30+ 181.81 EUR
60+ 181.61 EUR
120+ 181.44 EUR
270+ 175.01 EUR
510+ 169.15 EUR
1020+ 168.71 EUR
C2M0045170D
Produktcode: 125314		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0045170PWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0045170PWolfspeedMOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+188.2 EUR
30+ 163.91 EUR
270+ 153.21 EUR
C2M0045170PWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0080120DCree/WolfspeedN-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+63.93 EUR
10+ 55.08 EUR
100+ 48.43 EUR
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0080120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.52 EUR
30+ 39.39 EUR
120+ 36.93 EUR
510+ 31.52 EUR
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C2M0080120D
Produktcode: 166109		Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0080120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 5573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
C2M0080120DWolfspeedMOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.84 EUR
10+ 42.5 EUR
30+ 39.65 EUR
60+ 38.44 EUR
120+ 37.19 EUR
270+ 34.71 EUR
510+ 31.93 EUR
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+55.47 EUR
5+ 51.79 EUR
10+ 48.45 EUR
20+ 45.4 EUR
50+ 42.57 EUR
100+ 39.94 EUR
250+ 39.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
C2M0080170DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM
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C2M0080170P
Produktcode: 162267		Transistoren > MOSFET N-CH
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C2M0080170PWolfspeed / CreeMOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
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C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
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C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
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C2M0080170PCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 23ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.35 EUR
5+ 14.73 EUR
6+ 13.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.85 EUR
Mindestbestellmenge: 12
C2M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+26.85 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C2M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
auf Bestellung 1603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.22 EUR
30+ 21.22 EUR
120+ 19.97 EUR
510+ 18.1 EUR
C2M0160120D
Produktcode: 84501		Transistoren > MOSFET N-CH
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C2M0160120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.75 EUR
10+ 20.7 EUR
30+ 18.48 EUR
60+ 18.46 EUR
120+ 17.88 EUR
270+ 17.05 EUR
510+ 16.12 EUR
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 23ns
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.35 EUR
5+ 14.73 EUR
6+ 13.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
C2M0160120DCREEN-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+32.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+13.85 EUR
Mindestbestellmenge: 12
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M0280120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.06 EUR
30+ 14.42 EUR
120+ 12.9 EUR
510+ 11.38 EUR
1020+ 10.25 EUR
C2M0280120D
Produktcode: 173651		Transistoren > MOSFET N-CH
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C2M0280120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
auf Bestellung 6979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.27 EUR
10+ 12.6 EUR
30+ 11.3 EUR
120+ 11.26 EUR
270+ 10.28 EUR
510+ 9.79 EUR
1020+ 9.77 EUR
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C2M0280120DCREEN-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+21.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 30
C2M0280120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 20250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+11.1 EUR
900+ 9.64 EUR
9000+ 9.28 EUR
18000+ 8.93 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.77 EUR
8+ 9.3 EUR
9+ 8.79 EUR
30+ 8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 16
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 20ns
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.77 EUR
8+ 9.3 EUR
9+ 8.79 EUR
30+ 8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 20250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+11.1 EUR
900+ 9.64 EUR
9000+ 9.28 EUR
18000+ 8.93 EUR
Mindestbestellmenge: 450
C2M1000170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
C2M1000170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.74 EUR
30+ 14.96 EUR
C2M1000170DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.6 EUR
10+ 15.95 EUR
30+ 14.45 EUR
120+ 13.29 EUR
270+ 12.51 EUR
510+ 11.72 EUR
1020+ 10.54 EUR
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 16
C2M1000170D 1700V 4.9A TO247
Produktcode: 82643		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.98 EUR
25+ 13.12 EUR
50+ 11.14 EUR
100+ 8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.27 EUR
7+ 10.74 EUR
8+ 10.15 EUR
50+ 9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C2M1000170JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.98 EUR
25+ 13.12 EUR
50+ 11.14 EUR
100+ 8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11
C2M1000170JCREEN-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+21.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
C2M1000170JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.58 EUR
50+ 14.23 EUR
100+ 13.39 EUR
500+ 12.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
C2M1000170J
Produktcode: 144493		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+12.85 EUR
100+ 11.4 EUR
250+ 10.91 EUR
500+ 8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C2M1000170JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
auf Bestellung 5666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.76 EUR
10+ 16.05 EUR
25+ 15.82 EUR
50+ 13.64 EUR
100+ 11.99 EUR
250+ 11.95 EUR
500+ 10.81 EUR
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.27 EUR
7+ 10.74 EUR
8+ 10.15 EUR
50+ 9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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50+9.18 EUR
Mindestbestellmenge: 50
C2M1000170J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
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1+17.44 EUR
10+ 15.36 EUR
25+ 14.96 EUR
50+ 14.13 EUR
100+ 13.29 EUR
250+ 12.88 EUR
500+ 12.04 EUR
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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800+9.18 EUR
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C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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800+10.49 EUR
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C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
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800+12.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800
C2M10028ASI
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C2M6028RASI
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C2M7028RASI
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